[发明专利]钛聚焦环的清洗方法

说明书

本发明提供一种钛聚焦环的清洗方法，包括：提供钛聚焦环；通过酸溶液对所述钛聚焦环进行第一清洗，所述酸溶液为硝酸与氢氟酸的混合溶液，所述酸溶液中硝酸与水的体积比值为25％～50％，氢氟酸与水的体积比值为25％～50％；对所述钛聚焦环进行第二清洗，去除钛聚焦环表面的酸溶液。所述清洗方法能够保证清洗后的钛聚焦环具有较大的表面清洁度的情况下，降低对钛聚焦环的损伤。

技术领域

本发明涉及半导体溅射靶材制造领域，尤其涉及一种钛聚焦环的清洗方法。

背景技术

溅射工艺是物理气相沉积(Physical Vapor Deposition,PVD)中的一种，是指以一定能量的粒子(离子或中性原子、分子)轰击固体表面，使固体近表面的原子或分子获得足够大的能量逸出固体表面而到达基板的工艺。

通常情况下，溅射镀膜过程中，金属离子从溅射靶材表面溅射出来，沿多个不同方向离开靶材表面，这样，到达基板上的靶材料很少，大部分靶材料被浪费了。为了避免这种问题，溅射设备中设置有聚焦环，所述聚焦环用于将离子汇聚到基板上。

如果所述聚焦环表面杂质较多，在溅射过程中容易对靶材造成污染。因此，在进行溅射之前需要对聚焦环进行清洗。

然而，现有的钛聚焦环的清洗方法存在对钛聚焦环的损伤较大的问题。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种钛聚焦环的清洗方法，能够提高钛聚焦环表面清洁度，且能够降低对钛聚焦环的损伤。

为解决上述问题，本发明提供一种钛聚焦环的清洗方法，包括：提供钛聚焦环；通过酸溶液对所述钛聚焦环进行第一清洗，所述酸溶液为硝酸与氢氟酸的混合溶液，所述酸溶液中硝酸与水的体积比值为25％～50％，氢氟酸与水的体积比值为25％～50％；对所述钛聚焦环进行第二清洗，去除钛聚焦环表面的酸溶液。

可选的，所述氢氟酸与水的体积比为50％。

可选的，所述第一清洗包括：第一鼓泡处理或第一超声波处理；所述第一鼓泡处理的步骤包括：向所述酸溶液中通入第一气体。

可选的，所述第一气体为空气或惰性气体。

可选的，所述第一清洗的时间为5min～30min。

可选的，所述酸溶液的温度为10℃～30℃。

可选的，所述第二清洗包括：第二鼓泡处理、第二超声波处理、或者第二鼓泡处理和第二超声波处理的组合使用。

可选的，所述第二鼓泡处理的步骤包括：向所述第二清洗的清洗液中通入第二气体。

可选的，所述第二气体为空气或惰性气体；所述第二鼓泡处理的时间为4min～7min。

可选的，所述第二超声波处理的次数为单次或多次。

可选的，每次第二超声波处理的时间为4min～7min。

可选的，所述第二清洗的清洗液为水。

可选的，进行第一清洗之前，还包括：通过有机溶液对所述钛聚焦环进行第三清洗。

可选的，所述有机溶液为异丙醇溶液。

可选的，所述第三清洗的包括第三超声波处理、浸泡处理或第三超声波处理与浸泡处理的组合。

可选的，所述浸泡处理的时间为4min～7min。

如权利要求15所述的钛聚焦环的清洗方法，其特征在于，所述第三超声波处理的次数为单次或多次。

可选的，每次第三超声波处理的时间为4min～7min。