[发明专利]一种砷化镓低倍聚光太阳能电池有效
申请号: | 201610578967.7 | 申请日: | 2016-07-21 |
公开(公告)号: | CN106024925B | 公开(公告)日: | 2018-04-13 |
发明(设计)人: | 易德福;守建川 | 申请(专利权)人: | 江西德义半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0304 | 分类号: | H01L31/0304;H01L31/0352;H02S40/22;H02S40/42 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)11350 | 代理人: | 汤东凤 |
地址: | 344000 江西省抚*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 砷化镓低倍 聚光 太阳能电池 | ||
1.一种砷化镓低倍聚光太阳能电池,其特征在于:包括低倍聚光器、砷化镓电池组件、散热架和水冷管道,所述砷化镓电池组件设置在低倍聚光器的低倍聚光焦斑所在区域,所述砷化镓电池组件包括框架和从上至下依次层压并装在框架内的透光保护层、第一填充层、砷化镓电池、第二填充层和背板,所述砷化镓电池组件的背面固定连接有若干条形散热架,所述散热架沿砷化镓电池组件背面宽度方向设置,并沿砷化镓电池组件背面长度方向均匀分布,所述散热架之间相互平行,所述水冷管道呈盘蛇状,所述散热架穿过水冷管道的管壁伸入水冷管道内部,所述散热架的横截面呈倒立的字母T的形状。
2.根据权利要求1所述的砷化镓低倍聚光太阳能电池,其特征在于:所述低倍聚光器为V型槽式聚光器,所述V型槽式聚光器包括按中轴线对称倾斜设置的两个平面反射镜和设置在两个平面反射镜顶端的透明盖板A。
3.根据权利要求1所述的砷化镓低倍聚光太阳能电池,其特征在于:所述低倍聚光器为复合抛物面聚光器,所述复合抛物面聚光器包括按中轴线对称设置的两个抛物线型反射镜和设置在两个抛物线型反射镜顶端的透明盖板B。
4.根据权利要求1所述的砷化镓低倍聚光太阳能电池,其特征在于:所述砷化镓电池由上至下依次为正电极、窗口层、发射层、GaAs层、背场、缓冲层、N型衬底、背面电极。
5.根据权利要求1所述的砷化镓低倍聚光太阳能电池,其特征在于:所述透光保护层采用强化玻璃或透明薄膜材料制成。
6.根据权利要求1所述的砷化镓低倍聚光太阳能电池,其特征在于:所述第一填充层和第二填充层均采用热可塑性树脂EVA材料制成。
7.根据权利要求1所述的砷化镓低倍聚光太阳能电池,其特征在于:所述框架采用铝材料制成。
8.根据权利要求1所述的砷化镓低倍聚光太阳能电池,其特征在于:所述水冷管道的一端为进水口,另一端为出水口。
9.根据权利要求1所述的砷化镓低倍聚光太阳能电池,其特征在于:所述背板采用TPT聚氟乙烯复合膜材料制成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的