[发明专利]保护元件在审

专利信息
申请号: 201610580349.6 申请日: 2016-07-21
公开(公告)号: CN107644797A 公开(公告)日: 2018-01-30
发明(设计)人: 何昌纬;王海峰 申请(专利权)人: 东莞华恒电子有限公司;何昌纬
主分类号: H01H85/06 分类号: H01H85/06
代理公司: 北京申翔知识产权代理有限公司11214 代理人: 黄超,周春发
地址: 523703 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 保护 元件
【说明书】:

技术领域

发明有关一种过电流/过电压保护元件,特别是指一种相对较容易控制熔断温度,有利于实现产品规格的多样性的保护元件。

背景技术

众所周知,一般电流/过电压保护元件(以下统称保护元件),主要用以保护电路中的电路或电器设施,防止其受到瞬间超额的电流或过高的电压而对精密电子设备造成损坏。当瞬间电流超过预定的电流额值时,保护元件当中以合金材料所完成熔断结构因瞬间过大的电流所产生的热量而被高温烧熔,进而形成断路,使过大的电流不再流入电路中,以保护电路及电器设备免于损坏。

已知一种习用保护元件具有在一绝缘基板上的两个电极部,另于该两个电极部的间连接一由低熔点的合金材料所完成的熔断结构,且于该绝缘基板上罩设一至少将该熔断结构遮蔽的外壳,防止熔断结构氧化以及避免周边的电子元件或电路遭烧熔的金属损毁。

习用保护元件当中的熔断结构多由纯锡或其他低熔点合金构成,由于其熔点相对较低(小于摄氏245度),无法满足联合行业标准,不符实际应用;另有同业采用高铅锡合金做为保护元件当中的熔断结构,其虽具备相对较高的熔点(摄氏280~300度),但却无法通过电气、电子设备中限制使用某些有害物质指令(the Restriction of the use of certain hazardous substances in electrical and electronic equipment , RoHS)标准。

再者,碍于高熔点金属与低熔点金属的熔化温度范围不同,而有高熔点合金与低熔点合金的区别;然而,习用保护元件当中的熔断结构,主要以合金的型态呈现,以至于较不利于实现规格的多样性;因此,如何提供一种相对较容易控制熔点,有利于实现产品规格的多样性,最好能够通过RoHS标准的保护元件,以及与其相关的熔断结构,长久以来一直是产业界及学术界所亟欲解决的课题。

发明内容

有鉴于此,本发明即在提供一种相对较容易控制熔断温度,有利于实现产品规格的多样性的保护元件。

本发明的保护元件,在一绝缘基板上设有至少两个供与外部电路电气连接的电极,另有一可供于预先设定温度下熔断的熔断结构电气连接于该至少两个电极之间,以及设有一至少将该熔断结构遮蔽的壳件;其特征在于:该熔断结构由至少两种不同熔点的金属层所叠置构成。

利用上述技术特征,本发明的保护元件,在其至少两个电极之间形成由至少两种不同熔点的金属层所构成的熔断结构,可透过调整不同金属层的质量比的方式控制熔断结构的熔断温度,有利于整体保护元件实现产品规格的多样性,且其可使用的金属选择范围较大,足以避开可能产生毒性的金属,有助于保护元件通过RoHS标准。

依据上述技术特征,所述该熔断结构由下而上依序设有一高熔点金属层及一低熔点金属层。

依据上述技术特征,所述该熔断结构由下而上依序设有一低熔点金属层及一高熔点金属层。

依据上述技术特征,所述该熔断结构由下而上依序设有一高熔点金属层、一低熔点金属层及一高熔点金属层。

依据上述技术特征,所述该熔断结构由下而上依序设有一低熔点金属层、一高熔点金属层及一低熔点金属层。

依据上述技术特征,所述该熔断结构由下而上依序设有一高熔点金属层、一高熔点金属层及一低熔点金属层。

依据上述技术特征,所述该熔断结构由下而上依序设有一低熔点金属层、一高熔点金属层、一高熔点金属层及一低熔点金属层。

依据上述技术特征,所述该熔断结构由下而上依序设有一高熔点金属层、一低熔点金属层、一高熔点金属层及一高熔点金属层。

依据上述技术特征,所述该熔断结构由下而上依序设有一高熔点金属层、一高熔点金属层、一低熔点金属层及一高熔点金属层。

依据上述技术特征,所述该熔断结构由下而上依序设有一高熔点金属层、一高熔点金属层、一高熔点金属层及一低熔点金属层。

依据上述技术特征,所述该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层及一由铜构成的铜金属层;该锡金属层与该铜金属层的体积比为30:1~120:1;该铜金属层的厚度介于0.1~2um;该锡金属层的厚度介于3~240um。

依据上述技术特征,所述该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层及一由铜构成的铜金属层;该锡金属层与该铜金属层的体积比为60:1;该铜金属层的厚度为1.5um;该锡金属层的厚度为90um。

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