[发明专利]隐藏栅线光伏电池组件和隐藏栅线印制模及光伏移光系统有效
申请号: | 201610581907.0 | 申请日: | 2016-07-22 |
公开(公告)号: | CN106057922B | 公开(公告)日: | 2017-08-29 |
发明(设计)人: | 李会欣;闫树林;庄书仲;赵平 | 申请(专利权)人: | 李会欣;闫树林;庄书仲;赵平 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18;H02S40/22 |
代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司11228 | 代理人: | 程殿军 |
地址: | 073000 河北省保定*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 隐藏 栅线光伏 电池 组件 印制 光伏移光 系统 | ||
技术领域
本发明涉及一种光伏电池,特别是涉及一种隐藏栅线光伏电池组件和隐藏栅线印制模及光伏移光系统。
背景技术
我们的人类能源问题已是全球性问题,我们现在使用的化学能源和核能源不是清洁能源,同时现有可开采能源也已不能维持人类的可持续发展,充分利用太阳能成为一种必然趋势。
人类开发了许多技术利用太阳能,而技术成熟且已用于发电的主要是硅基光伏太阳能电池,太阳能源清洁环保,但是该光伏电池的光电转换效率太低,成本太高,这就多方面妨碍了它的发展。
为了增加该光伏电池的发电量,半个世纪以来人们进行了不懈的努力,进行了无数次偿试,但始终没有实质性进展,转换率总在17%-22%以下,而该光伏电池的价格却很高,提高光伏电池转换效率和降低光伏电池价格,是本发明人所要解决的问题。
在现有技术中,光伏电池组件由若干单晶或多晶光伏电池1构成,大多是以156*156为单晶体,每个单晶体上经过制工工艺形成PN结,如图1所述,单晶体上表面为N极 2,下方为P极3,在N极 2 上设有54-75根左右的横向栅线4,有2根纵向栅线4,在此情况下每个光伏电池单晶输出功率为250瓦,各类栅线占单晶面积的6%左右,近期人们发现通过增加纵向栅线4的个数对每个标准单晶的输出功率可以增大到285瓦,同时使各关栅线4准单晶面积的17%左右。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的在于提供一种隐藏栅线光伏电池组件和隐藏栅线印制模及光伏移光系统,通过本技术方案中的隐藏栅线技术,可以增加照射在隐藏栅线光伏电池上的光线,从而可以增加光伏电池的发电量,结合光伏移光技术,光伏移光板将另一倍阳光加到隐藏栅线光伏电池上,因此使系统的发电量得到很大增加,而其成本大大降低,使光伏电池的利用率和光电转换效率得到极大的突破和提高。
为了达到上述目的,本发明的技术方案是这样实现的:
一种隐藏栅线光伏电池组件,由若干个单晶或多晶光伏电池构成,将单晶或多晶光伏电池中的各类栅线设置在单晶或多晶光伏电池内,使单晶或多晶光伏电池中的各类隐藏栅线不再占用单晶或多晶光伏电池光照表面,各隐藏栅线不再遮挡光线而影响光伏电池的输出功率,虽然隐藏栅线藏于单晶或多晶光伏电池内,但能很好的接触电池表面,很好的收集电子。从而有效的提高单晶或多晶光伏电池的光电转化效率。
作为进一步的技术方案,在单晶或多晶光伏电池的上表面开设有藏栅槽,在单晶或多晶光伏电池上表面和藏栅槽内表面扩散设置N极或P极,在藏栅槽底部的N极或P极上设置隐藏栅线。
作为进一步的技术方案,所述隐藏栅线隐藏在单晶或多晶光伏电池的上表层以下的藏栅槽的上开口一侧下方。
作为进一步的技术方案,在单晶或多晶光伏电池的侧面上设置有藏栅孔,在单晶或多晶光伏电池上表面和藏栅孔内表面设置N极或P极,在藏栅孔内的N极或P极上设置隐藏栅线。
一种隐藏栅线光伏电池组件的光伏移光系统,由权利要求1-4之一所述的隐藏栅线光伏电池组件和至少一块光伏移光板构成, 所述光伏移光板并排平行设置在隐藏栅线光伏电池组件的侧面上方,太阳光线分别照射在光伏移光板和隐藏栅线光伏电池组件上,光伏移光板可将太阳光线转移到隐藏栅线光伏电池组件上,照射在光伏移光板上的太阳光线移光叠加照射在所对应的隐藏栅线光伏电池组件上。
所述光伏移光板包括基底,所述基底表面设有多个凸起,所述凸起可使光线从基底上折射、反射到其侧下方位置的光伏移光板上,并通过光伏移光板照射在隐藏栅线光伏电池组件上。
一种隐藏栅线光伏电池组件的隐藏栅线印制模,由权利要求2和3引述的隐藏栅线光伏电池组件的隐藏栅线印刷中,在模体上设置有与单晶或多晶光伏电池上的藏栅槽相对应的镂空槽,在每个镂空槽一侧边缘上设置有沿藏栅槽底边深入到藏栅槽内的遮挡板,所述遮挡板的下端与镂空槽另一侧边缘的垂直线相对齐。
采用上述技术方案后的有益效果是:一种隐藏栅线光伏电池组件和隐藏栅线印制模及光伏移光系统,通过本技术方案,隐藏栅线藏于单晶或多晶光伏电池内,使单晶或多晶光伏电池增加了光照面积,因而也就增加了光电转换效率,同时通过光伏移光板把另一倍阳光叠加到隐藏栅线光伏电池组件上,因此使系统的发电量得到很大增加,而且其成本大大降低,光伏材料的利用率和光电转换效率得到提高,隐藏栅线通过印制模上设置的遮挡板,使隐藏栅线在印刷中,可以直接印制出来,为制作隐藏栅线光伏电池奠定了基础。
附图说明
图1为现有技术中单晶或多晶光伏电池结构原理图。
图2为本发明中隐藏栅线光伏电池组件实施例一的结构原理图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于李会欣;闫树林;庄书仲;赵平,未经李会欣;闫树林;庄书仲;赵平许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的