[发明专利]一种半导体器件及制备方法、电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一功能区域和第二功能区域，在所述半导体衬底上交替形成有第一牺牲层和第二牺牲层；

图案化所述第二牺牲层和所述第一牺牲层，以在所述第一功能区域中形成第一开口并露出所述半导体衬底；

选择性蚀刻所述第一开口中露出的所述第一牺牲层，以使位于所述第一牺牲层中的所述第一开口的横向尺寸大于位于所述第二牺牲层中的所述第一开口的横向尺寸；

在所述第一开口中填充第一半导体材料，以形成第一鳍片；

图案化所述第二牺牲层和所述第一牺牲层，以在所述第二功能区域中形成第二开口并露出所述半导体衬底；

在所述第二开口中填充第二半导体材料，以形成第二鳍片。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还进一步包括：

回蚀刻所述第一鳍片和所述第二鳍片，以在顶部的所述第二牺牲层中形成凹槽；

在所述凹槽中形成硬掩膜层，以覆盖所述第一鳍片和所述第二鳍片；

去除所述第二牺牲层和所述第一牺牲层，以露出所述第一鳍片和所述第二鳍片；

修剪所述第一鳍片和所述第二鳍片，以减小所述第一鳍片和所述第二鳍片的横向尺寸；

去除所述硬掩膜层；

形成部分覆盖所述第一鳍片和所述第二鳍片的隔离材料层，以形成目标高度的所述第一鳍片和所述第二鳍片。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，选用四甲基氢氧化铵湿法修剪所述第一鳍片和所述第二鳍片；或者选用远程等离子体蚀刻法修剪所述第一鳍片和所述第二鳍片。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，回蚀刻所述第一鳍片和所述第二鳍片的步骤中去除的厚度为2nm～20nm。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，选用稀释的氢氟酸去除所述第一牺牲层和所述第二牺牲层，其中，所述稀释的氢氟酸中水与氢氟酸的体积比为50:1～1000:1；或者选用硅钴镍制程去除所述第一牺牲层和所述第二牺牲层。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，选用稀释的氢氟酸选择性蚀刻所述第一牺牲层，所述稀释的氢氟酸中水与氢氟酸的体积比为50:1～5000:1。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，选择性蚀刻所述第一牺牲层，以使位于所述第一牺牲层中的所述第一开口横向尺寸增加2nm～5nm。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一牺牲层选用高深宽比氧化物；所述第二牺牲层选用热氧化物。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述第一开口和所述第二开口的步骤包括：

在顶部的所述第二牺牲层上形成第一掩膜层，以覆盖所述第二牺牲层；

图案化所述第一掩膜层，以在位于所述第一功能区域中的所述第一掩膜层中形成第一开口图案；

以所述第一开口图案为掩膜蚀刻交替设置的所述第一牺牲层和所述第二牺牲层，以形成所述第一开口；

去除所述第一掩膜层；

在形成所述第一鳍片之后，在顶部的所述第二牺牲层上形成第二掩膜层，以覆盖所述第二牺牲层；

图案化所述第二掩膜层，以在位于所述第二功能区域中的所述第二掩膜层中形成第二开口图案；

以所述第二开口图案为掩膜蚀刻交替设置的所述第一牺牲层和所述第二牺牲层，以形成所述第二开口；

去除所述第二掩膜层。