[发明专利]一种基于离子束技术的复杂曲面去除函数计算方法有效

专利信息
申请号: 201610590627.6 申请日: 2016-07-25
公开(公告)号: CN106855895B 公开(公告)日: 2018-04-10
发明(设计)人: 张学军;唐瓦;薛栋林;邓伟杰;尹小林 申请(专利权)人: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50;G06F17/16;B24B1/00;B24B13/00
代理公司: 北京理工大学专利中心11120 代理人: 李爱英,仇蕾安
地址: 130033 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 离子束 技术 复杂 曲面 去除 函数 计算方法
【权利要求书】:

1.一种基于离子束技术的复杂曲面去除函数计算方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤一、选定一组离子源工作参数,测量离子束流在距离离子源L处的离子浓度分布d0

步骤二、通过去除函数实验获得所选定的离子源工作参数在距离L处的平面基准去除函数;并对所述离子浓度分布d0与平面基准去除函数进行标定,获得离子浓度与材料去除率的对应系数矩阵C;

步骤三、根据加工需要设定离子源工作参数,测量离子束流在距离离子源L处离子浓度分布da,利用系数矩阵C,计算得到与距离离子源L处离子束流浓度分布所对应的平面去除函数F;

步骤四、选用步骤三中所述的离子源工作参数,测量离子束流浓度空间分布并进行归一化处理,得到离子束流空间分布矩阵Id

其中,Imax为距离离子源z处的电流峰值,exp为以e为底的指数函数,ηx、ηy为扫描结果分别在实验室坐标系内x,y方向上的高斯分布系数;

步骤五、计算复杂曲面表面曲率半径变化对去除函数的影响获得矩阵ω;

其中,a为离子能量平均入射深度,σ、μ分别为入射能量在材料内部子午方向和弧矢方向上的分布系数,aσ=a/σ,aμ=a/μ,h(x,y)为复杂曲面在实验室坐标系内的数学表达式;

步骤六、根据平面去除函数F、离子束流空间分布矩阵Id和矩阵ω,得到每个驻留点处的曲面去除函数R,完成复杂曲面去除函数的计算。

2.如权利要求1所述的一种基于离子束技术的复杂曲面去除函数计算方法,其特征在于,R=ωIdF。

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