[发明专利]一种基于离子束技术的复杂曲面去除函数计算方法有效
申请号: | 201610590627.6 | 申请日: | 2016-07-25 |
公开(公告)号: | CN106855895B | 公开(公告)日: | 2018-04-10 |
发明(设计)人: | 张学军;唐瓦;薛栋林;邓伟杰;尹小林 | 申请(专利权)人: | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50;G06F17/16;B24B1/00;B24B13/00 |
代理公司: | 北京理工大学专利中心11120 | 代理人: | 李爱英,仇蕾安 |
地址: | 130033 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 离子束 技术 复杂 曲面 去除 函数 计算方法 | ||
1.一种基于离子束技术的复杂曲面去除函数计算方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤一、选定一组离子源工作参数,测量离子束流在距离离子源L处的离子浓度分布d0;
步骤二、通过去除函数实验获得所选定的离子源工作参数在距离L处的平面基准去除函数;并对所述离子浓度分布d0与平面基准去除函数进行标定,获得离子浓度与材料去除率的对应系数矩阵C;
步骤三、根据加工需要设定离子源工作参数,测量离子束流在距离离子源L处离子浓度分布da,利用系数矩阵C,计算得到与距离离子源L处离子束流浓度分布所对应的平面去除函数F;
步骤四、选用步骤三中所述的离子源工作参数,测量离子束流浓度空间分布并进行归一化处理,得到离子束流空间分布矩阵Id;
其中,Imax为距离离子源z处的电流峰值,exp为以e为底的指数函数,ηx、ηy为扫描结果分别在实验室坐标系内x,y方向上的高斯分布系数;
步骤五、计算复杂曲面表面曲率半径变化对去除函数的影响获得矩阵ω;
其中,a为离子能量平均入射深度,σ、μ分别为入射能量在材料内部子午方向和弧矢方向上的分布系数,aσ=a/σ,aμ=a/μ,h(x,y)为复杂曲面在实验室坐标系内的数学表达式;
步骤六、根据平面去除函数F、离子束流空间分布矩阵Id和矩阵ω,得到每个驻留点处的曲面去除函数R,完成复杂曲面去除函数的计算。
2.如权利要求1所述的一种基于离子束技术的复杂曲面去除函数计算方法,其特征在于,R=ωIdF。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,未经中国科学院长春光学精密机械与物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610590627.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:多插槽的插入式卡
- 下一篇:一种基于机动车的驾驶行程数据评估其驾驶风险的方法