[发明专利]具有亲疏性差异的像素界定层及其制备方法和应用在审
申请号: | 201610591897.9 | 申请日: | 2016-07-25 |
公开(公告)号: | CN107026187A | 公开(公告)日: | 2017-08-08 |
发明(设计)人: | 卢泓;李哲 | 申请(专利权)人: | 广东聚华印刷显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人: | 李海恬 |
地址: | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 亲疏 差异 像素 界定 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种具有亲疏性差异的像素界定层的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
制备薄膜层:以像素界定层材料在具有导电阳极的基板上形成薄膜层,并在该薄膜层上制备得到容纳打印墨水的像素坑;所述像素坑的侧壁与所述基板之间具有倾斜的角度;
选择性活化:将掩膜板覆盖于上述薄膜层上,进行活化处理;所述掩膜板上与所述像素坑对应的位置进行开窗处理,将像素坑内预定进行活化处理的区域露出,使像素坑内露出的区域经活化处理后表现为亲墨水性,而被掩膜板遮蔽的区域未经活化处理而表现为疏墨水性。
2.根据权利要求1所述的具有亲疏性差异的像素界定层的制备方法,其特征在于,所述选择性活化步骤中,以紫外臭氧处理和/或等离子处理的方式进行活化处理。
3.根据权利要求2所述的具有亲疏性差异的像素界定层的制备方法,其特征在于,所述选择性活化步骤中,以紫外臭氧处理进行活化处理时,选用波长为185nm和/或254nm的紫外光进行照射;以等离子处理进行活化处理时,选用被激活为等离子体的空气或者氩氧混合气进行喷射。
4.根据权利要求1-3任一项所述的具有亲疏性差异的像素界定层的制备方法,其特征在于,所述制备薄膜层步骤中,所述像素坑的侧壁与所述基板之间的角度θ为:10°<θ<70°。
5.根据权利要求1-3任一项所述的具有亲疏性差异的像素界定层的制备方法,其特征在于,所述选择性活化步骤中,所述掩膜板的开窗边缘在所述像素坑内的投影轨迹即为像素坑内亲墨水区域和疏墨水区域的分界线,所述分界线所在平面与所述导电阳极平面的距离与所述像素坑的深度之比K值的范围为:0<K<2/3。
6.根据权利要求1-3任一项所述的具有亲疏性差异的像素界定层的制备方法,其特征在于,所述制备薄膜层步骤中,以涂布工艺在所述基板上形成薄膜层,并通过光刻工艺在所述薄膜层上像素的位置形成像素坑。
7.权利要求1-6任一项所述的具有亲疏性差异的像素界定层的制备方法制备得到的像素界定层。
8.一种印刷型发光显示器件,其特征在于,具有权利要求7所述的像素界定层。
9.一种印刷型发光显示器件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
制备阳极:在具有导电阳极的基板上制备出阳极图案;
制备像素界定层:按照权利要求1-6任一项所述的制备方法制备得到具有亲疏性差异的像素界定层;
打印:以喷墨打印的方式向所述像素坑内注入墨水材料,形成液态膜层,并干燥、固化;
制备阴极:完成阴极薄膜的制备并对器件进行封装,即得。
10.根据权利要求9所述的印刷型发光显示器件的制备方法,其特征在于,所述打印步骤中,所述墨水材料为OLED材料或QLED材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的