[发明专利]一种异质结电池的镀膜方法及PVD载板和镀膜装置

权利要求书

1.一种异质结电池的镀膜方法，其特征在于：所述镀膜方法包括如下步骤：

将N型单晶硅片置于PVD载板上；

将装有N型单晶硅片的PVD载板水平放置在镀膜装置上，进行上下连续溅射镀膜；

在N型单晶硅片上形成金属栅线；

所述上下连续溅射镀膜包括：先让N型单晶硅片上表面在镀膜装置上部装有透明导电氧化物靶材的腔室内沉积透明导电氧化膜层及相连的上部装有金属靶材的腔室内沉积种子层，然后水平移动PVD载板，让N型单晶硅片下表面在下部装有透明导电氧化物靶材的腔室内沉积透明导电氧化膜层及相连的下部装有金属靶材的腔室内沉积种子层；或者先让N型单晶硅片下表面在下部装有透明导电氧化物靶材的腔室内沉积透明导电氧化膜层及相连的下部装有金属靶材的腔室内沉积种子层，然后水平移动PVD载板，再让N型单晶硅片上表面在上部装有透明导电氧化物靶材的腔室内沉积透明导电氧化膜层及相连的上部装有金属靶材的腔室内沉积种子层。

2.根据权利要求1所述异质结电池的镀膜方法，其特征在于：所述N型单晶硅片为在N型硅衬底上一面沉积有第一本征层、N型非晶硅层，另一面沉积有第二本征层、P型非晶硅层。

3.根据权利要求1所述异质结电池的镀膜方法，其特征在于：所述透明导电氧化膜层为ITO、AZO、GZO、IGZO及其掺杂的氧化铟，氧化锌。

4.根据权利要求1所述异质结电池的镀膜方法，其特征在于：所述种子层为铝、铜、镍、铬、锡、钛、钨中的一种或多种。

5.一种用于根据权利要求1所述异质结电池的镀膜方法采用的PVD载板，其特征在于：所述PVD载板设有若干个镂空槽，所述镂空槽内设有台阶面，所述台阶面宽度为0.3～1mm；所述的镂空槽内壁面为斜坡面，所述的斜坡面坡度为30°～75°。

6.一种用于根据权利要求1所述异质结电池的镀膜方法采用的镀膜装置，其特征在于：所述镀膜装置包括上沉积腔室和下沉积腔室，所述上沉积腔室和下沉积腔室为相互连通的的腔室；所述上沉积腔室上部设有上靶材装置，所述下沉积腔室下部设有下靶材装置，所述上靶材装置和下靶材装置为多腔室结构，采用多个腔室相连。