[发明专利]一种可实现太阳能电池边缘绝缘的方法在审
申请号: | 201610594974.6 | 申请日: | 2016-07-26 |
公开(公告)号: | CN107658368A | 公开(公告)日: | 2018-02-02 |
发明(设计)人: | 倪鹏玉;陈伟文;宋广华;罗骞 | 申请(专利权)人: | 福建金石能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 362000 福建省泉州市*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 实现 太阳能电池 边缘 绝缘 方法 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域,具体涉及一种可实现太阳能电池边缘绝缘的方法。
背景技术
随着光伏产业的迅速发展,市场迫切需求一种工艺流程简单、光电转化效率高的太阳能电池产业化制备技术来降低光伏发电成本,使光伏发电成本达到与市电同价或低于市电价格的目标。目前市场上,在高效异质结太阳能电池的金属成栅技术有两种,一种为银浆印刷,一种为金属沉积成栅,在成本、生产效率及线型形状控制方面看,金属沉积成栅工艺要比银浆印刷工艺好。在金属沉积成栅工艺制作过程中,金属成栅图形的形成成本所占比重是相当高的。而且在电池片薄膜沉积过程中,容易产生薄膜绕镀的现象,这种现象使得电池片的P面、N面相互连接,严重影响电池片的转接效率及组件封装的可靠性。为了避免绕镀现象,很多公司采用沉积前涂保护漆、沉积时对电池片边缘压框或沉积后结电池片边缘进行金属蚀刻,这样会使制作工艺复杂化,无形中增加电池片的制作成本,且容易造成破片、破角等不良。
发明内容
就以上现有技术的缺陷,本发明的目的是提供一种可实现太阳能电池边缘绝缘的方法,解决太阳能电池片制作过程中因边沿无保护而导致薄膜绕镀现象的问题。
为解决上述技术问题,本发明提出一种可实现太阳能电池边缘绝缘的方法,包括如下步骤:在电池片两面同时贴上光阻材料,将电池片完全包裹;将包裹光阻材料后的电池片边缘的多余光阻材料去除;对去除多余光阻材料后的电池片进行双面同时曝光,同时进行显影;在曝光、显影后的电池片上沉积出金属栅线。
优选地,所述电池片边缘的多余光阻材料是通过激光设备或刀片设备裁切去除,且电池片边缘保留0.5mm~1mm的光阻材料。
优选地,所述金属栅线采用电化学方法沉积。
由上述对本发明的描述可知,和现有技术相比,本发明具有如下优点:
本发明在电池片边缘保留0.5mm~1mm的光阻材料,使得后续金属沉积过程中不会在电池片边缘沉积上金属,达到P面、N面绝缘的效果,可以很好地防止太阳能电池在电化学沉积金属栅线时在电池片边缘沉积上金属层导致的P、N面间短路,从而提高太阳能电池的性能及生产效率。可无缝结合在太阳能电池金属栅线的图形形成工艺流程和设备中,简单有效,实现电池片边缘绝缘保护的效果,不会对电池片产生不良影响。
附图说明
构成本申请的一部分的附图用来提供对本发明的进一步理解,本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明,并不构成对本发明的不当限定。在附图中:
图1为本发明一种可实现太阳能电池边缘绝缘的方法的流程图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
如图1所示一种可实现太阳能电池边缘绝缘的方法,包括如下步骤:
S01,在电池片两面同时贴上光阻材料,将电池片完全包裹;
S02,将包裹光阻材料后的电池片边缘的多余光阻材料去除;
S03,对去除多余光阻材料后的电池片进行双面同时曝光,同时进行显影,电池片边缘仍有光阻材料保护,光阻材料不会因此工序而破坏或脱落;
S04,在曝光、显影后的电池片上沉积出金属栅线,电池片边缘仍有光阻材料保护,电池片边缘不会沉积上金属,导致电池片短路等现象。
所述电池片边缘的多余光阻材料是通过激光设备或刀片设备裁切去除,且电池片边缘保留0.5mm~1mm的光阻材料。
所述金属栅线采用电化学方法沉积。
本发明在电池片边缘保留0.5mm~1mm的光阻材料,使得后续金属沉积过程中不会在电池片边缘沉积上金属,达到P面、N面绝缘的效果,可以很好地防止太阳能电池在电化学沉积金属栅线时在电池片边缘沉积上金属层导致的P、N面间短路,从而提高太阳能电池的性能及生产良率。可无缝结合在太阳能电池金属栅线的图形形成工艺流程和设备中,简单有效,实现电池片边缘绝缘保护的效果,不会对电池片产生不良影响。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的