[发明专利]一种基准电压源

权利要求书

1.一种基准电压源，其特征在于，包括运算放大器、正温度系数电压产生电路、负温度系数电压产生电路和第一晶体管；

所述正温度系数电压产生电路与所述运算放大器的第一输入端电连接，用于产生正温度系数的电压；

所述负温度系数电压产生电路的第一端与所述运算放大器的第二输入端电连接，所述负温度系数电压产生电路的第二端与所述第一晶体管的漏极电连接，用于产生负温度系数的电压；

所述第一晶体管的栅极与所述运算放大器的输出端电连接，源极和衬底与电源电连接，漏极与所述基准电压源的输出端电连接；

所述运算放大器用于将所述正温度系数的电压镜像到负温度系数电压产生电路，并将所述正温度系数的电压与所述负温度系数的电压相加后，在所述基准电压源的输出端输出基准电压；

其中，所述正温度系数电压产生电路和所述负温度系数电压产生电路由晶体管组成；

所述正温度系数电压产生电路包括M个第二晶体管和N个第三晶体管，其中，M和N为正整数；

所述第二晶体管的漏极与所述电源电连接，所述第二晶体管的栅极、源极和衬底与运算放大器的第一输入端电连接；

所述第三晶体管的栅极与漏极电连接，所述第三晶体管的源极和衬底电连接，第一个所述第三晶体管的漏极与所述运算放大器的第一输入端电连接，下一个所述第三晶体管的漏极与上一个所述第三晶体管的源极电连接，第N个所述第三晶体管的源极接地。

2.根据权利要求1所述的基准电压源，其特征在于，所述正温度系数的电压由所述第二晶体管和所述第三晶体管的沟道宽度比，以及所述第二晶体管个数和所述第三晶体管的个数调节控制。

3.根据权利要求1所述的基准电压源，其特征在于，所述负温度系数电压产生电路包括第四晶体管；

所述第四晶体管的源极与漏极电连接，栅极与衬底电连接，所述第四晶体管的栅极与所述第一晶体管的漏极电连接，所述第四晶体管的源极与所述运算放大器的第二输入端电连接。

4.根据权利要求3所述的基准电压源，其特征在于，所述负温度系数的电压由所述第四晶体管的衬底和漏极以及源级形成的二极管提供。

5.根据权利要求3所述的基准电压源，其特征在于，还包括限流电路，所述限流电路包括K个第五晶体管，其中，K为正整数；

所述第五晶体管的栅极与漏极电连接，源极与衬底电连接；

第一个所述第五晶体管的漏极与所述运算放大器的第二输入端电连接，下一个所述第五晶体管的漏极与上一个所述第五晶体管的源极电连接，第K个所述第五晶体管的源极接地。

6.根据权利要求5所述的基准电压源，其特征在于，所述第一晶体管为P型晶体管，所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管和所述第五晶体管均为N型晶体管。