[发明专利]电流沉负载电路及低压差线性稳压器

权利要求书

1.一种电流沉负载电路，其特征在于，所述电流沉负载电路并联于一低压差线性稳压器内的一负载的两端，所述电流沉负载电路包括：一RC滤波电路、一第一电阻以及一第一MOS晶体管；其中，所述第一MOS晶体管的栅极连接于所述RC滤波电路的输出端，源极通过所述第一电阻接地，漏极连接于所述低压差线性稳压器的输出端；

所述RC滤波电路包括：一第二MOS晶体管、一第三MOS晶体管、一第五MOS晶体管、一第七MOS晶体管、一第十MOS晶体管、一第十一MOS晶体管以及两个电阻与两个电容；

其中，所述第二MOS晶体管的栅极连接于所述第三MOS晶体管的栅极，源极连接于第二电压，漏极连接于所述第五MOS晶体管的漏极；所述第三晶体管的源极接地，漏极连接于所述第七晶体管的漏极；所述第五MOS晶体管的源极与所述第七晶体管的源极连接于一第一节点；

所述第十MOS晶体管的源极连接于所述第十一MOS晶体管的漏极，漏极连接于一第二节点，所述第十一MOS晶体管的源极连接于所述第二电压；

所述第一节点和第二节点连接于所述第一MOS晶体管的栅极；

一电阻并联于所述第五MOS晶体管的源极与漏极两端，另一电阻并联于所述第七MOS晶体管的源极与漏极两端，一电容的一端连接于所述第二节点，另一端连接于所述第二电压，另一电容的一端连接于所述第二节点，另一端接地；

所述第二MOS晶体管的栅极、第三MOS晶体管的栅极以及第十MOS晶体管的栅极同时输入一第一控制信号；所述第五MOS晶体管的栅极和第七MOS晶体管的栅极同时输入一第二控制信号；所述第十一MOS晶体管的栅极输入一标识信号；所述第二控制信号是所述负载的高速模式使能信号与所述负载的高速模式的提前信号进行或运算的计算结果，所述第一控制信号是所述高速模式使能信号与第二控制信号的延迟信号进行同或运算的计算结果，利用所述高速模式的提前信号的上升沿对所述高速模式使能信号进行采样后再取反得到所述标识信号，其中，所述高速模式的提前信号比所述高速模式使能信号早一预定时间，该预定时间大于低压差线性稳压器的反应时间，所述第二控制信号的延迟信号比所述第二控制信号延迟一定时间。

2.如权利要求1所述的电流沉负载电路，其特征在于，所述两个电阻与两个电容分别为：第四电阻、第五电阻、第二电容以及第三电容；

其中，所述第四电阻的一端连接于所述第二MOS晶体管的漏极，所述第四电阻的另一端连接于所述第一节点；

所述第五电阻的一端连接于所述第一节点，所述第五电阻的另一端连接于所述第三MOS晶体管的漏极；

所述第二电容的一端连接于所述第二电压，另一端和所述第三电容的一端连接于一第二节点，所述第三电容的另一端接地。

3.如权利要求2所述的电流沉负载电路，其特征在于，所述第四电阻和/或第五电阻为一MOS晶体管；其中，

当所述第四电阻为一第四MOS晶体管时，所述第四MOS晶体管的漏极和第五MOS晶体管的漏极连接于所述第二MOS晶体管的漏极，所述第四MOS晶体管的源极和第五MOS晶体管的源极连接于所述第一节点，所述第四MOS晶体管的栅极接地；

当所述第五电阻为一第六MOS晶体管时，所述第六MOS晶体管的源极和第七MOS晶体管的源极连接于所述第一节点，第六MOS晶体管的漏极和第七MOS晶体管的漏极连接于所述第三MOS晶体管的漏极，所述第六MOS晶体管的栅极连接于所述第二电压。

4.如权利要求2所述的电流沉负载电路，其特征在于，所述第二电容和/第三电容为一MOS晶体管；其中，

当所述第二电容为一第八MOS晶体管时，所述第八MOS晶体管的源极和漏极导通并连接于所述第二电压，栅极连接于所述第二节点；

当所述第三电容为一第九MOS晶体管时，所述第九MOS晶体管的源极和漏极导通并连接于地，栅极连接于所述第二节点。

5.如权利要求2所述的电流沉负载电路，其特征在于，所述第二MOS晶体管、第五MOS晶体管、第十MOS晶体管以及第十一MOS晶体管均为P型MOS晶体管；所述第一MOS晶体管、第三MOS晶体管以及第七MOS晶体管均为N型MOS晶体管。

6.一种低压差线性稳压器，包括：一如权利要求1至5中任意一项所述的电流沉负载电路，所述电流沉负载电路并联于一负载的两端，所述负载的一端连接低压差线性稳压器的输出电压，另一端接地。

7.如权利要求6所述的低压差线性稳压器，其特征在于，还包括：一带隙参考电路、一放大器、一第十二MOS晶体管、一第二电阻、一第三电阻以及一第一电容，其中，所述带隙参考电路的输出端连接于所述放大器的反相输入端，所述放大器的输出端连接于所述第十二MOS晶体管的栅极，所述第十二MOS晶体管的源极连接于第二电压，漏极连接于所述第二电阻的一端，所述第二电阻的另一端与所述第三电阻的一端串联于一第三节点，所述第三电阻的另一端接地，所述第三节点连接于所述放大器的正相输入端，所述第一电容的一端连接于所述第十二MOS晶体管M12的漏极，另一端连接于地；所述负载的一端连接所述第十二MOS晶体管的漏极，所述第十二MOS晶体管漏极的输出电压为所述低压差线性稳压器的输出电压。