[发明专利]一种键合结构及其制造方法

权利要求书

1.一种键合结构的制造方法，其特征在于，所述键合结构的制造方法包括以下步骤：

步骤S1：提供一具有若干凹槽的图形化晶圆；

步骤S2：于所述图形化晶圆表面形成氧化层，并去除部分的氧化层形成缓冲槽；

步骤S3：于所述氧化层上形成键合金属层，其中，所述缓冲槽用于在形成所述键合金属层时向键合工艺施加的压力提供缓冲压力空间。

2.根据权利要求1所述的键合结构的制造方法，其特征在于：所述步骤S1还包括以下步骤：

步骤S1-1：提供一待处理晶圆，于所述待处理晶圆表面形成光刻胶层；

步骤S1-2：对所述光刻胶层进行曝光、显影，形成一图形化光刻胶层；

步骤S1-3：以所述图形化光刻胶层为掩膜刻蚀所述待处理晶圆形成若干个凹槽，以形成图形化晶圆并去除光刻胶。

3.根据权利要求1所述的键合结构的制造方法，其特征在于：所述步骤S2还包括以下步骤：

步骤S2-1：于所述图形化晶圆表面形成氧化层；

步骤S2-2：于所述氧化层表面形成光刻胶层；

步骤S2-3：对所述光刻胶层进行曝光、显影，形成一图形化光刻胶层；

步骤S2-4：以所述图形化光刻胶层为掩膜刻蚀所述氧化层，形成具有缓冲槽的氧化层并去除光刻胶。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的键合结构的制造方法，其特征在于：所述步骤S2中，对所述氧化层顶部的拐角处进行刻蚀直至暴露出部分的凹槽侧壁及/或部分的凹槽顶部的晶圆表面，形成具有缓冲槽的氧化层。

5.根据权利要求4 所述的键合结构的制造方法，其特征在于：所述暴露出的凹槽顶部的晶圆表面的尺寸范围为1~2微米。

6.根据权利要求1所述的键合结构的制造方法，其特征在于：所述氧化层为二氧化硅层。

7.一种键合结构，其特征在于，所述键合结构包括：

一具有若干凹槽的图形化晶圆；

氧化层，形成于所述图形化晶圆表面，所述氧化层中具有被去除部分氧化层所形成的缓冲槽；

键合金属层，形成于所述氧化层上。

8.根据权利要求7所述的键合结构，其特征在于：所述缓冲槽包括多个贯穿所述氧化层拐角处的空腔，并暴露出部分的凹槽侧壁或/及部分的凹槽顶部的晶圆表面。

9.根据权利要求8 所述的键合结构，其特征在于：所述暴露出的凹槽顶部的晶圆表面的尺寸范围为1~2微米。

10.根据权利要求7所述的键合结构，其特征在于：所述氧化层为二氧化硅层。