[发明专利]石墨烯-碳纳米管纯碳复合薄膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201610600088.X 申请日: 2016-07-27
公开(公告)号: CN106276870B 公开(公告)日: 2019-10-25
发明(设计)人: 付志兵;黄维;王朝阳;朱家艺;赵海波;米睿 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
主分类号: C01B32/168 分类号: C01B32/168;C01B32/186;C01B32/194
代理公司: 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 代理人: 郑健
地址: 621900 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 铜箔 复合薄膜 石墨烯 纯碳 碳纳米管材料 制备 碳纳米管分散液 石墨烯薄膜 刻蚀液 石墨烯-碳纳米管 碳纳米管粉末 导电性 超声清洗机 粒子束辐照 效应晶体管 热处理 激光锁模 邻二氯苯 碳纳米管 复合材料 透光性 溶剂 常压 超声 滴定 放入 基底 刻蚀 水中 涂膜 薄膜 离子 漂浮 残留 应用
【权利要求书】:

1.一种石墨烯-碳纳米管纯碳复合薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤一、取石英载片分别在乙醇、去离子水中超声后置60℃恒温真空干燥箱中干燥备用;将铜箔用辊压机压平整,浸入5.4%w/w的硝酸溶液中预处理30s以除去铜箔上的杂质颗粒,之后用去离子水清洗,自然晾干;将处理过的铜箔放于石英载片上作为石墨烯的生长基底,推至石英管外端中部加热区近热电偶位置;抽真空至约5Pa后通入第1路Ar/H2混合气至常压,其中第1路Ar/H2中含5%的H2,重复上述过程以降低氧含量,防止高温条件下铜箔被氧化;保持Ar/H2混合气550sccm流量不变;开启程序控制,常压下用时60min使石英管恒速升温至1000℃,随后保温预热处理0.5h;预热结束后用第2路流量为80sccm的Ar将乙醇作为碳源带入石英管内并持续通入40s,通完乙醇后保持50s用于乙醇的裂解沉积,随即快速冷却至室温得到沉积在铜箔上的石墨烯薄膜;将碳纳米管粉末加入邻二氯苯中,然后放入超声清洗机中连续超声,得到均匀稳定的碳纳米管分散液;所述超声的时间为6~10小时,超声的功率为600~800W;所述碳纳米管分散液的浓度为0.02~0.1mg/L;

步骤二、采用电喷方法将碳纳米管分散液涂覆至石墨烯薄膜表面;然后置于管式炉中惰性气氛下热处理除去溶剂,得到铜箔-石墨烯-碳纳米管材料;所述电喷方法为:将碳纳米管分散液注入带不锈钢喷头的喷射容器内,然后用高压电源将电压施加在不锈钢喷头上,并利用与喷射容器连接的推进泵将喷射容器内的碳纳米管分散液通过不锈钢喷头喷射至石墨烯薄膜表面;电喷方法采用的喷射条件为:环境温度为50~100℃,石墨烯薄膜表面与不锈钢喷头的距离为8~12cm,喷射流量为0.05~0.1mL/h,电压为3~8kV,不锈钢喷头的内径为0.8~1.2mm;所述热处理的温度为250~400℃,热处理的时间为3~8分钟;

步骤三、将铜箔-石墨烯-碳纳米管材料进行粒子束辐照处理;所述粒子束为中子束;所述中子束的辐照能量为300KeV,辐照剂量为5×1012~1×1014n·cm-2,辐照密度为5×1011n·s-1·cm-2

步骤四、将粒子束辐照处理后的铜箔-石墨烯-碳纳米管材料进行刻蚀除去铜箔,得到漂浮于刻蚀液上的复合薄膜;然后将漂浮于刻蚀液上复合薄膜捞至去离子水中洗去残留刻蚀液,得到纯碳复合薄膜;所述刻蚀的方法为:将粒子束辐照处理后的铜箔-石墨烯-碳纳米管材料浸泡于浓度为0.05~0.15mol/L的FeCl3溶液中刻蚀6~10小时除去铜箔,刻蚀过程中用滴管将铜箔底层的不完整石墨烯吹除。

2.如权利要求1中所述的石墨烯-碳纳米管纯碳复合薄膜的制备方法,其特征在于,所述碳纳米管粉末的长度为5~30um、直径<2nm、纯度>95%;所述石墨烯薄膜的透光性为95.93%、薄层电阻为2.374KΩ/sq。

3.如权利要求1中所述的石墨烯-碳纳米管纯碳复合薄膜的制备方法,其特征在于,所述步骤二中,每平方厘米的石墨烯薄膜表面均匀分散0.01mL碳纳米管分散液。

4.如权利要求1中所述的石墨烯-碳纳米管纯碳复合薄膜的制备方法,其特征在于,所述步骤三中,中子束替换为离子束、质子束和γ射线中的任意一种。

5.如权利要求4中所述的石墨烯-碳纳米管纯碳复合薄膜的制备方法,其特征在于,所述离子束为碳离子束,辐照能量为40KeV,辐照剂量为1×1015~3×1017ion·cm-2,辐照密度为1013ion·s-1·cm-2;所述质子束的辐照能量为170KeV,辐照剂量为5×1013~2×1016P·cm-2,辐照密度为1012P·s-1·cm-2;所述γ射线的辐照能量为1.25MeV,辐照剂量为50~300KGy,辐照密度为170Gy/min。

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