[发明专利]一种低导通电阻横向双扩散金属氧化物半导体器件有效
| 申请号： | 201610614208.1 | 申请日： | 2016-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN106024905B | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 孙伟锋;薛颖;叶然;陈欣;刘斯扬;陆生礼;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 214135 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 通电 横向 扩散 金属 氧化物 半导体器件 | ||
【权利要求书】：
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