[发明专利]一种自动键合装置及方法在审
申请号: | 201610614596.3 | 申请日: | 2016-07-29 |
公开(公告)号: | CN107665828A | 公开(公告)日: | 2018-02-06 |
发明(设计)人: | 孙见奇 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/683 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人: | 屈蘅,李时云 |
地址: | 201203 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 自动 装置 方法 | ||
技术领域
本发明涉及半导体封装领域,特别涉及一种自动键合装置及方法。
背景技术
过去40年来,“每18个月晶体管数量/性能增加一倍,同时成本维持不变”摩尔定律(Moore’s Law),使半导体产业快速走向规模经济与蓬勃发展,创造出许多通讯产品(如:PC/DT/NB/Smartphone/Tablet)。但除了借助能缩小线路宽度、间距但成本高昂的先进纳米制程技术之外,IC设计业者、晶圆厂与封装业者也积极开发各种封装技术,在不缩小线宽的纳米制程技术之下,在有限面积内进行最大程度的芯片叠加与整合,同时缩减系统单晶片(英文全称:System on Chip,简称:SoC)封装体积与线路传导长度,进而提升晶片传输效率。
目前常用的键合方式有如下三种:晶圆-晶圆键合技术(wafer-to-wafer,W2W)、芯片-晶圆键合技术(chip-to-wafer,C2W)以及芯片-芯片键合技术(chip-to-chip,C2C),三者的性能比较如表1所示,由于单片晶圆的先进封装制程良率不高,在采用W2W后,使得产品的良率大幅下降,最终导致产品的制造成本和销售价格过高而难以市场化;而C2W与C2C虽然能够解决良率低的问题,但相对于W2W产率较低。
表1三种键合方式性能比较
C2W技术与倒装芯片(Flip Chip)技术工艺原理类似,需要将芯片倒装在基 底上。但是Flip Chip主要应用于芯片或电子元件对有机基底的倒装。Flip Chip设备的主要特点是产率高(18000Die/H)但是键合精度低(±30~50μm),目前也有多家从事Flip Chip设备制造的设备供应商推出了更高键合精度的Flip Chip设备来支持C2W工艺的应用,但是当键合精度提高后,产率都明显下降(2000~3000Die/H),使得C2W工艺难以解决大规模量产的需求。
发明内容
本发明提供一种自动键合装置及方法,以解决上述技术问题。
为解决上述技术问题,本发明提供一种自动键合装置,包括蓝膜片台、传输单元、载板运动台以及键合运动台,其中,
所述蓝膜片台用于承载并夹紧蓝膜片,所述蓝膜片上设置芯片;
所述传输单元包括两传动轮以及缠绕固定于所述传动轮上的传输带,所述传输带上均匀排布有若干真空吸头;
所述载板运动台上设有带有吸附功能的转移块,可吸附多个芯片;
所述键合运动台用于承载硅片,所述转移块在所述真空吸头与所述硅片之间移动送料。
较佳地,所述蓝膜片下方设有顶针台,所述顶针台上设有顶针,所述顶针台能够沿所述蓝膜片上芯片的排列方向直线移动,所述顶针能够在所述顶针台上垂向移动。
较佳地,所述传输带内设有与负压源连接的总气道,每个所述真空吸头对应一个吸头气道,所述吸头气道与所述总气道连通。
较佳地,所述吸头气道上设有阀门。
较佳地,所述载板运动台上还设有对准装置,用于检测吸附于所述真空吸头上的芯片的位置,以及键合运动台上硅片的位置。
较佳地,所述对准装置为CCD。
较佳地,所述转移块能够在所述载板运动台上做垂向运动。
本发明还提供了一种自动键合方法,应用于如上所述的自动键合装置中,包括如下步骤:
S1:所述传输带在所述传动轮的带动下步进运动,将所述蓝膜片上的芯片吸 附至所述真空吸头上;
S2:随着所述传输带的步进运动,将所述芯片移动至所述转移块的下方,所述转移块从所述真空吸头上吸附芯片;
S3:通过所述载板运动台将所述芯片移送至所述键合运动台上方,将芯片键合至所述硅片的对应位置处。
较佳地,所述传输带内设有与负压源连接的总气道,每个所述真空吸头对应一个吸头气道,每个所述吸头气道分别通过一阀门与所述总气道连通,当某一真空吸头移动至待吸附的芯片上方时,该真空吸头对应的阀门打开;当某一真空吸头移动至所述转移块下方时,该真空吸头对应的阀门关闭。
较佳地,所述蓝膜片下方设有顶针台,所述顶针台上设有顶针,当某一真空吸头移动至待吸附的芯片上方时,所述顶针台移动至该芯片下方,所述顶针升起将该芯片顶起。
较佳地,所述载板运动台上还设有对准装置,当所述转移块与所述真空吸头之间交接换料时,所述对准装置检测吸附于所述真空吸头上的芯片的位置;当所述转移块与所述硅片之间交接换料时,所述对准装置检测所述键合运动台上硅片的位置。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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