[发明专利]快恢复二极管制作方法及由该方法制作的快恢复二极管

权利要求书

1.一种快恢复二极管制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S101)选取N型硅圆片；

S102)铝预沉积：进行铝预沉积，使所述硅圆片内形成浅结深的PNP型纵向结构；

S103)阴极面PN结去除：保护所述硅圆片的阳极面，去除所述硅圆片的阴极面的PN结，使所述硅圆片内形成PN型纵向结构；

S104)硼离子注入：在所述硅圆片的阳极面进行硼离子注入，使所述硅圆片内形成浅结深的P⁺PN型纵向结构；

S105)铝、硼杂质深结扩散：在所述硅圆片的阳极面进行铝、硼杂质深结扩散，使所述硅圆片内形成深结深的P⁺PN型纵向结构；

S106)N型杂质扩散：在所述硅圆片的阴极面进行磷杂质掺杂扩散，使所述硅圆片内形成P⁺PNN⁺型纵向结构；

S200)进行所述硅圆片的后处理工序；

所述硅圆片的后处理工序S200)包括以下步骤：

S201)铝层蒸发及合金化：在所述硅圆片的表面蒸发铝层，形成引出电极，并进行合金化处理，使铝、硅之间形成欧姆接触；

S202)尺寸切割：对所述硅圆片进行尺寸切割以形成芯片；

S203)阴极低温键合：通过低温键合工艺，将所述芯片的阴极面与钼片键合到一起；

S204)结终端处理：对所述芯片的结终端进行台面造型及保护处理；

S205)静态参数测试：对所述芯片进行静态参数测试；

S206)质子辐照：对静态参数合格的芯片的阳极面施以质子辐照；

S207)电子辐照：对所述芯片施以电子辐照；

S208)封装测试：对所述芯片进行测试、封装及出厂测试。

2.一种快恢复二极管制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S101)选取N型硅圆片；

S102)铝预沉积：进行铝预沉积，使所述硅圆片内形成浅结深的PNP型纵向结构；

S103)阴极面PN结去除：保护所述硅圆片的阳极面，去除所述硅圆片的阴极面的PN结，使所述硅圆片内形成PN型纵向结构；

S104)硼离子注入：在所述硅圆片的阳极面进行硼离子注入，使所述硅圆片内形成浅结深的P⁺PN型纵向结构；

S105)铝、硼杂质深结扩散：在所述硅圆片的阳极面进行铝、硼杂质深结扩散，使所述硅圆片内形成深结深的P⁺PN型纵向结构；

S106)N型杂质扩散：在所述硅圆片的阴极面进行磷杂质掺杂扩散，使所述硅圆片内形成P⁺PNN⁺型纵向结构；

S200)进行所述硅圆片的后处理工序；

所述硅圆片的后处理工序S200)包括以下步骤：

S201)尺寸切割：对所述硅圆片进行尺寸切割；

S202)铝层蒸发及合金化：在所述硅圆片的表面蒸发铝层，形成引出电极，并进行合金化处理，使铝、硅之间形成欧姆接触，以形成芯片；

S203)阴极低温键合：通过低温键合工艺，将所述芯片的阴极面与钼片键合到一起；

S204)结终端处理：对所述芯片的结终端进行台面造型及保护处理；

S205)静态参数测试：对所述芯片进行静态参数测试；

S206)质子辐照：对静态参数合格的芯片的阳极面施以质子辐照；

S207)电子辐照：对所述芯片施以电子辐照；

S208)封装测试：对所述芯片进行测试、封装及出厂测试。