[发明专利]一种印刷无主栅电池片正面电极的单网网版设备及工艺在审

专利信息
申请号: 201610620433.6 申请日: 2016-09-06
公开(公告)号: CN107791664A 公开(公告)日: 2018-03-13
发明(设计)人: 熊华平;四建方;李建峰 申请(专利权)人: 青岛瑞元鼎泰新能源科技有限公司
主分类号: B41F15/36 分类号: B41F15/36;H01L31/18;H01L31/0224
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地址: 266234 山东*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 印刷 无主 电池 正面 电极 单网网版 设备 工艺
【说明书】:

技术领域

本发明属于太阳能技术领域,尤其涉及一种太阳能电池片的生产设备及工艺,具体的说是一种印刷无主栅电池片正面电极的单网网版设备及工艺

背景技术

全球性的化石能源危机与环境污染推动了光伏行业的快速发展。日前,以晶硅电池片为主的组件占据了全球光伏组件市场的80%以上;晶硅电池片发展至今,其制作成本及发电量成为其发展的主要制约因素。在制作成本方面,硅材料占据着约60—70%的材料成本,银浆料的用量占据着约20-30%的材料成本。前人大胆的提出无主栅线技术,是对降低成本这一目标最急切的渴望,而且这一技术也有助于增大电池片有效光照面积,提高发电量。然而其中的一些技术难点遏制了无主栅的发展,例如①中国专利《无主栅线的硅电池片》[专利号:CN201820762U]中就存在焊接难度大、焊带易脱落等情况;②德国的Schmid无主栅线技术对焊接机要求太苛刻,从而提高了设备成本;③林建伟的《无主栅、高效率背接触太阳能模块、组件及制备工艺》[专利号:CN 104282788 A]存在着整个电池片材料以及组件材料的技术革新,并且工艺和质量标准很不成熟。然而,本发明提出的一些无主栅线的硅电池片能很好地平衡降低成本及保证效率的问题。

本专利的提出是为了保证能良好地印刷出多种无主栅线硅电池片的正面电极。在电池片印刷网版这一方面,国内外许多专利都有自己的一些阐述观点,但基本上都在集中讨论常规的有主栅线电池片。例如,①中国专利《光伏电池片印刷模块》[专利号:CN202669148U]印刷出的主栅线与副栅线的连接处呈圆角,因此两者之间的接触面积增大,接触电阻减小,能够提高光电转换效率。②中国专利《改进的光伏电池片印刷模块》[专利号:CN202742802U]通过辅助栅线,使得一根主栅线发生故障时,连接该故障主栅线的副栅线可以通过辅助栅线连接到另一根主栅线上。③中国专利《一种增强型的晶硅太阳能电池四主栅线的电池片》[专利号:CN204792810U]在电池片印刷副栅线出现断线的时候,依然可以有效的进行电流的收集,大大减少了电池片EL不良比例。

很多电池片印刷网版的专利都是有关于有主栅线电池片,而没有无主栅线电池片的网版出现。因此配套生产无主栅线电池片的生产设备也急需研发。

发明内容

本发明的目的在于提供一种印刷低生产成本、高发电量的无主栅电池片的正面电极的单网网版设备及工艺。

为了达到上述目的,本发明的技术方案为:一种印刷无主栅线电池片正面电极的单网网 版设备,包括工作台、刮刀、单网网版和导电银浆料出口,工作台上设有电池片运送平台,电池片放置在电池片运动平台上,单网网版设置在电池片运送平台上方,刮刀和导电银浆料出口设置在单网网版的上方,所述单网网版为无主栅线网版,其设有若干细栅线印刷处,在细栅线印刷处的垂线方向上的两端设有主栅线端头印刷处。

本发明针对的无主栅电池片其两端设有端头,并非完全改变现有的生产工艺,仅将中间部分的主栅线除去,减少主栅线的印刷,同时由于主栅线本身要求很高,不印刷主栅线会大大降低工作质量要求,同时降低网版生产的要求,进而降低生产成本。

还包括增强焊接点印刷处,其设置在主栅线端头印刷处之间。

还包括增强电连接效果部印刷处,其设置在垂直于细栅线印刷处的直线上。

主栅线端头印刷处的形状包括矩形、椭圆形、三角形、圆形、梯形和非规则长条形。

细栅线印刷处的数量为50-110根。

细栅线印刷处的宽度为60—120微米。

主栅线端头印刷处的印刷长度效果最佳为2-20mm,最佳印刷宽度效果最佳为0.2-1.2mm。

增强焊接点印刷处的长度为2-10毫米,宽度为0.2-1.2毫米,其形状包括矩形、圆形、椭圆形和三角形。

增强电连接效果部印刷处的宽度为20-120微米,高度为10—40微米,其形状包括直线形、菱形、折线形或圆滑过渡线形。

一种采用上述设备生产无主栅电池片的工艺,包括以下步骤:

a)晶硅基片选择

优先质量符合质量标准的晶硅基片;晶硅基片无外观缺陷例如:裂片、缺角等;少数载流子寿命在20微秒以上。

b)晶硅基片表面制绒

硅片表面制绒:在硅片表面进行腐蚀形成凸凹不平的形状,以增加硅片对太阳光的捕获率;

c)扩散形成PN结

扩散形成PN结:对硅片进行磷或硼掺杂,使得电池片两侧分别形成P型硅和N型硅;

d)表面镀减反射涂层

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