[发明专利]一种肖特基器件

权利要求书

1.一种肖特基器件，其特征在于：包括：

衬底层，为半导体材料；

漂移层，为第一导电半导体材料，位于衬底层之上；

多个第一沟槽和多个第二沟槽，交替排列位于漂移层表面，第一沟槽深度大于第二沟槽，第一沟槽和第二沟槽包括具有不同宽度为同一次刻蚀制造形成，第一沟槽和第二沟槽内设置绝缘材料、半导体材料或绝缘材料内壁包裹导电材料，其中导电材料包括为金属或掺杂多晶半导体材料；

第二导电区，为第二导电半导体材料，临靠第一沟槽和第二沟槽底部，第一沟槽第二导电区和第二沟槽第二导电区不相连，第一沟槽第二导电区和第二沟槽第二导电区在器件表面的投影交替排列，第一沟槽第二导电区和第二沟槽第二导电区在器件表面的投影边缘包括部分或全部交叠；

肖特基势垒结，位于漂移层表面。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的第一沟槽和第二沟槽内设置绝缘材料包括为氧化物、氮化物或SIPOS，第一沟槽和第二沟槽内设置绝缘材料还包括具有界面电荷陷阱特性。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的第一沟槽和第二沟槽内设置半导体材料包括为第一导电半导体材料或者第二导电半导体材料。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述肖特基器件边缘元胞中，第二沟槽第二导电区临靠第一沟槽，或者第一沟槽第二导电区相互连接。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述肖特基器件元胞包括设置于器件终端结构中，终端结构元胞第二沟槽第二导电区临靠第一沟槽，或者第一沟槽第二导电区相互连接。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的第二沟槽第二导电区包括临靠器件表面，第二沟槽第二导电区表面设置肖特基结、欧姆接触或绝缘材料层。