[发明专利]成像装置和电子设备有效
申请号: | 201610623971.0 | 申请日: | 2012-03-07 |
公开(公告)号: | CN106098716B | 公开(公告)日: | 2018-04-17 |
发明(设计)人: | 荻田知治;山本笃志;田谷圭司;大塚洋一;田渕清隆 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司11290 | 代理人: | 曹正建,陈桂香 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 成像 装置 电子设备 | ||
本申请是申请日为2012年3月7日、发明名称为“固态成像装置、固态成像装置的制造方法和电子设备”的申请号为201210058232.3专利申请的分案申请。
技术领域
本公开涉及固态成像装置、固态成像装置的制造方法和电子设备。
背景技术
电荷耦合装置(CCD)固态成像装置和互补金属氧化物半导体(CMOS)固态成像装置广泛地应用于数字照相机和摄像机。就光入射在光接收单元上的方向而言,这些固态成像装置大致分类成两类。
其中一类包括接收在形成配线层的半导体基板的前侧入射的光的固态成像装置。另一类包括所谓的后照明型固态成像装置,其接收在半导体基板没有形成配线层的后侧入射的光。
这些固态成像装置具有遮光膜,用于阻挡像素之间的光以改善灵敏度且防止颜色混合。现在需要固态成像装置进一步改善图像质量和灵敏度,并且进一步抑制颜色混合。此外,小型化将降低层之间特别是遮光膜、滤色器和微型透镜之间的重叠精度,这严重影响颜色混合。
为了减小固态成像装置的高度并且改善遮光膜和滤色器的重叠精度,例如,在日本特开第2010-85755号公报的固态成像装置中,用于减少与相邻像素颜色混合的遮光膜与滤色器形成在相同的层上。
发明内容
然而,日本特开第2010-85755号公报公开的技术中存在这样的问题,因为滤色器形成在遮光膜和半导体基板上,所以滤色器与半导体基板容易分离。
所希望的是提供能抑制滤色器分离的固态成像装置及固态成像装置的制造方法。
还希望提供具有这样固态成像装置的电子设备。
根据本公开的实施例的固态成像装置包括:像素,每个所述像素都具有用于将入射光转换为电信号的光电转换元件;滤色器,与像素相对应,并且具有多个滤色器部件;微型透镜,用于将入射光通过滤色器会聚到光电转换元件上;遮光膜,设置在滤色器的滤色器部件之间;以及非平坦的粘合剂膜,设置在滤色器和遮光膜之间。
在根据本公开的实施例的固态成像装置中,通过滤色器和遮光膜之间设置的非平坦的粘合剂膜可抑制滤色器的分离。
根据本公开的实施例的固态成像装置的制造方法包括:形成像素,每个所述像素都具有用于将入射光转换为电信号的光电转换元件;形成遮光膜,该遮光膜设置在滤色器的多个滤色器部件之间;在遮光膜上沉积平坦的粘合剂膜;在遮光膜之间的粘合剂膜上形成滤色器;以及在滤色器上形成微型透镜,该微型透镜用于将入射光通过滤色器会聚到光电转换元件上。
根据本公开的实施例的电子设备包括上述的固态成像装置、光学透镜以及信号处理电路。
根据本技术的实施例,可抑制滤色器的分离。
附图说明
图1示出了根据第一实施例的固态成像装置;
图2是根据第一实施例的固态成像装置的截面图;
图3A至3F示出了根据第一实施例的固态成像装置的制造步骤;
图4是根据第二实施例的固态成像装置的截面图;
图5A和5B示出了根据第二实施例的固态成像装置的制造步骤;
图6是根据第三实施例的固态成像装置的截面图;
图7A至7D示出了根据第三实施例的固态成像装置的制造步骤;
图8是根据第四实施例的固态成像装置的截面图;
图9A至9D示出了根据第四实施例的固态成像装置的制造步骤;
图10是根据第五实施例的固态成像装置的截面图;
图11A和11B示出了根据第五实施例的固态成像装置的制造步骤;
图12是根据第六实施例的固态成像装置的截面图;
图13A至13C示出了根据第六实施例的固态成像装置的制造步骤;
图14是根据第七实施例的固态成像装置的截面图;
图15A和15B示出了根据第七实施例的固态成像装置的制造步骤;
图16是根据第八实施例的固态成像装置的截面图;
图17A和17B示出了根据第八实施例的固态成像装置的制造步骤;
图18是根据第九实施例的固态成像装置的截面图;
图19A至19D示出了根据第九实施例的固态成像装置的制造步骤;
图20是根据第十实施例的固态成像装置的截面图;
图21A至21D示出了根据第十实施例的固态成像装置的制造步骤;
图22A和22B是根据第十一实施例的固态成像装置的截面图;
图23A至23C示出了根据第十一实施例的遮光膜;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的