[发明专利]摄像装置和电子设备

权利要求书

1.一种摄像装置，包括：

半导体基板，其具有第一侧和第二侧；

光电转换部，其设置在所述半导体基板中；

像素分隔凹槽，其设置在所述半导体基板中并且邻近于所述光电转换部；

多个绝缘膜，其设置为邻近于所述半导体基板的所述第一侧；以及

氧化硅膜，

其中，所述多个绝缘膜中的每个绝缘膜包括选自由氧化铪、氧化锆、氧化铝、氧化钛和氧化钽组成的组中的至少一种成分，

所述氧化硅膜接触所述多个绝缘膜中的第一绝缘膜的表面以及所述多个绝缘膜中的第二绝缘膜的表面，

所述多个绝缘膜中的所述第一绝缘膜设置在所述像素分隔凹槽的内部，

所述多个绝缘膜中的所述第二绝缘膜的至少一部分的厚度大于或等于10nm并且小于或等于80nm，

其中，所述多个绝缘膜中的所述第一绝缘膜和所述多个绝缘膜中的所述第二绝缘膜以从所述半导体基板的所述第一侧的层叠顺序形成。

2.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述多个绝缘膜中的所述第一绝缘膜和所述多个绝缘膜中的所述第二绝缘膜的层数不同。

3.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述多个绝缘膜中的所述第二绝缘膜从所述半导体基板的光接收表面侧到所述像素分隔凹槽的壁表面的一部分是连续的。

4.根据权利要求1所述的摄像装置，进一步包括：

设置在所述像素分隔凹槽中的至少一个其他膜，其中所述至少一个其他膜是保护膜。

5.根据权利要求4所述的摄像装置，其中，所述多个绝缘膜中的所述第一绝缘膜包括设置在所述半导体基板和所述至少一个其他膜之间的部分。

6.根据权利要求5所述的摄像装置，其中，所述多个绝缘膜中的所述第一绝缘膜包括设置在所述半导体基板和所述多个绝缘膜中的所述第二绝缘膜之间的部分。

7.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述多个绝缘膜中的所述第一绝缘膜的厚度大于或等于2nm并且小于或等于100nm。

8.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述多个绝缘膜中的所述第一绝缘膜包括设置在所述半导体基板和所述多个绝缘膜中的所述第二绝缘膜之间的部分。

9.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述多个绝缘膜中的所述第一绝缘膜和所述多个绝缘膜中的所述第二绝缘膜包括硅。

10.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述像素分隔凹槽的宽度大于或等于100nm并且小于或等于1000nm。

11.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述像素分隔凹槽的深度大于或等于0.25μm并且小于或等于5μm。

12.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述多个绝缘膜中的所述第一绝缘膜和所述多个绝缘膜中的所述第二绝缘膜是部分层叠的。

13.根据权利要求12所述的摄像装置，其中，所述多个绝缘膜中的所述第一绝缘膜包括多个层。

14.根据权利要求13所述的摄像装置，其中，所述多个绝缘膜中的所述第二绝缘膜的至少一部分设置在所述像素分隔凹槽内。

15.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述多个绝缘膜中的所述第二绝缘膜的至少一部分设置在所述像素分隔凹槽内。

16.根据权利要求14所述的摄像装置，其中，所述多个绝缘膜中的所述第二绝缘膜的设置在所述像素分隔凹槽内的所述至少一部分设置在所述多个绝缘膜中的所述第一绝缘膜的两个层之间。