[发明专利]一种半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于：包括：

衬底层，为半导体材料；

漂移层，位于衬底层之上和沟槽之间，为第一导电半导体材料与第二导电半导体材料交替排列而成；

多个沟槽，位于衬底层之上，沟槽通过隔离绝缘材料，在沟槽上下方向上设置多个部分，沟槽上下方向上多个部分内设置导电材料，导电材料包括为金属或掺杂多晶半导体材料，导电材料与沟槽内壁之间设置有绝缘层，沟槽内壁绝缘层设置缺口，沟槽内壁绝缘层缺口位于沟槽的顶部、底部或侧壁，实现导电材料与衬底层、漂移层或表面电极材料接触。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的隔离绝缘材料和沟槽内壁绝缘层材料为同种绝缘材料，包括为氧化硅、氮化硅或氧化铝。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的沟槽内壁绝缘层设置的缺口包括位于沟槽侧壁内的上部、中部或下部。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的沟槽内壁绝缘层设置的缺口位于沟槽底部，实现导电材料与衬底层接触。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的沟槽内壁绝缘层设置的缺口位于沟槽顶部，实现导电材料与表面电极材料接触。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的沟槽内壁绝缘层的侧壁绝缘层设置不同厚度，在远离缺口方向上由薄变厚。

7.一种半导体装置，其特征在于：包括：

衬底层，为半导体材料；

漂移层，位于衬底层之上和沟槽之间，为第一导电半导体材料与第二导电半导体材料交替排列而成；

多个沟槽，位于衬底层之上，沟槽通过隔离绝缘材料，在沟槽侧壁上下方向上设置多个部分，沟槽侧壁上下方向上多个部分的表面设置肖特基势垒结。

8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于：所述漂移层包括为单个第一导电半导体材料与单个第二导电半导体材料交替排列而成、两个第一导电半导体材料与单个第二导电半导体材料交替排列而成、或者单个第一导电半导体材料与两个第二导电半导体材料交替排列而成。

9.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于：所述的沟槽上下方向上设置多个部分的最上部分或最下部分侧壁设置有绝缘层。