[发明专利]图案化光阻的形成方法及其结构

说明书

本发明公开了一种图案化光阻的形成方法及其结构，包括：提供一基底，在基底表面涂覆第一光阻层；对第一光阻层进行第一次曝光，在第一光阻层中形成第一子图案区域以及第一待去除区域；在所述第一子图案区域上形成一金属氧化物薄膜；涂覆第二光阻层，第二光阻层覆盖金属氧化物薄膜和第一光阻层；对第二光阻层进行第二次曝光，在金属氧化物薄膜上的第二光阻层中形成第二子图案区域，在第一待去除区域上的第二光阻层中形成第二待去除区域。本发明通过在基底上至少分两步涂覆图案化光阻，而且在第一子图案区域和第二子图案区域之间形成一金属氧化物薄膜，能够得到具有理想图案的图案化光阻的结构，利用其进行封装，可以提高器件的可靠性。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路制造工艺，特别涉及应用于封装工艺中的一种图案化光阻的形成方法及其结构。

背景技术

聚酰亚胺(Polyimide，PI)是一种有机高分子材料，具有耐高温、耐辐射、绝缘性能好、耐腐蚀、化学性质稳定等特点，是半导体封装中常用的图案化光阻材料。在半导体集成电路制造封装过程中，需要通过光刻工艺形成具有开口的聚酰亚胺层，并通过聚酰亚胺层的开口使金属焊盘暴露出来，然后在聚酰亚胺层的开口内设置焊球(bonding ball)，通过焊球与外界电连接。因而，聚酰亚胺层的形成质量及聚酰亚胺层的开口形状的好坏会直接影响后续刻蚀、离子注入或封装等工艺的结果，并最终会影响形成的半导体器件的电学性能。

并且，在当今指纹识别技术中，由于其需求的多样化，对Polyimide层的厚度要求越来越厚，Polyimide层的开口的关键尺寸越来越小，即需要Polyimide层的开口深而窄，目前，常有Polyimide层的厚度为10um，当厚度增加至30um、60um，甚至更厚时，如采用传统的Polyimide层的光刻方法，请参阅图1，在一基底10上涂覆所需厚度的Polyimide层11，然后通过一掩膜版(Mask)进行曝光显影，最终得到如图2所示的开口a。因为Polyimide层的厚度比较厚，Polyimide层的上表面接收的紫外线较多，越往下，接收的紫外线越少，于是，通过显影之后，就会形成类似梯形的开口a，则最后形成的Polyimide层11具有顶部大底部小的形状，所述Polyimide层11在所述基底10上“站”不稳，在后续处理工艺中，非常容易出现Polyimide层11倾斜、甚至剥落的现象，若利用其进行封装，这将使得开口a内的焊球无法与外界进行良好的电连接，影响器件的可靠性。

因此，针对上述技术问题，有必要对Polyimide层的形成方法和结构进行改进。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种可得到理想图案的图案化光阻的形成方法及其结构，以提高器件的可靠性。

为解决上述技术问题，本发明提供的图案化光阻的形成方法，包括：

提供一基底，在所述基底表面涂覆第一光阻层；

对所述第一光阻层进行第一次曝光，在所述第一光阻层中形成第一子图案区域以及第一待去除区域；

在所述第一子图案区域上形成一金属氧化物薄膜；

涂覆第二光阻层，所述第二光阻层覆盖所述金属氧化物薄膜和第一光阻层；

对所述第二光阻层进行第二次曝光，在所述金属氧化物薄膜上的第二光阻层中形成第二子图案区域，在所述第一待去除区域上的第二光阻层中形成第二待去除区域。

可选的，所述第一光阻层和第二光阻层的材料均为负性光阻剂。

可选的，所述第一光阻层和第二光阻层的材料均为聚酰亚胺。

进一步的，所述第一子图案区域和第二子图案区域的截面形状相同。

可选的，所述金属氧化物薄膜为一氧化银薄膜。