[发明专利]堆叠式电容结构有效

专利信息
申请号: 201610633299.3 申请日: 2016-08-04
公开(公告)号: CN107689371B 公开(公告)日: 2020-07-10
发明(设计)人: 黄凯易;林圣纮;简育生;叶达勋 申请(专利权)人: 瑞昱半导体股份有限公司
主分类号: H01L27/06 分类号: H01L27/06;H01L29/94;H01L23/64
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 冯志云;王芝艳
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 堆叠 电容 结构
【权利要求书】:

1.一种堆叠式电容结构,包含:

一金氧半变容器,包含:

一基板,具有一阱区;

一栅极,位于该阱区上;以及

一第一源/漏极与一第二源/漏极,分别形成于该阱区中,位于该栅极的相对两侧;以及

一堆叠电容器,电性连接该金氧半变容器,其中该堆叠电容器包含多个金属层,彼此相间隔地堆叠于该栅极的上方,且位于一电感性元件的下方;

其中任一该金属层的图案包含多个梳状结构单元,呈对称排列,每一该梳状结构单元包含:

多个金属条,彼此间平行排布;以及

一金属连接件,连接该些金属条,其中该些金属条的长度沿着该金属连接件的中央处向两侧递减;

其中该些梳状结构单元的数量为四个,每一该梳状结构单元的该些金属条中最长的金属条从其连接的该金属连接件的中央延伸至该图案的中心处,且该些梳状结构单元中该些最长的金属条于该中心处连接,而该些梳状结构单元中的其余金属条的末端互不相连。

2.一种堆叠式电容结构,包含:

一金氧半变容器,包含:

一基板,具有一阱区;

一栅极,位于该阱区上;以及

一第一源/漏极与一第二源/漏极,分别形成于该阱区中,位于该栅极的相对两侧;以及

一堆叠电容器,电性连接该金氧半变容器,其中该堆叠电容器包含多个金属层,彼此相间隔地堆叠于该栅极的上方,且位于一电感性元件的下方;

其中任一该金属层的图案包含多个梳状结构单元,呈对称排列,每一该梳状结构单元包含:

多个第一金属条,彼此间平行排布;

一第一金属连接件,连接该些第一金属条,其中该些第一金属条的长度沿着该第一金属连接件的一端向另一端递减;

多个第二金属条,彼此间平行排布,与该些第一金属条相互垂直;以及

一第二金属连接件,连接该些第二金属条,与该第一金属连接件相互垂直,其中该些第二金属条的长度沿着该第二金属连接件的一端向另一端递减,该些第二金属条与该些第一金属条呈对称排列,

其中该些第一金属条中最长的第一金属条与该些第二金属条中最长的第二金属条连接,而该些第一、第二金属条中的其余金属条的末端互不相连。

3.如权利要求1或2所述的堆叠式电容结构,其中该第一源/漏极、该第二源/漏极与该阱区皆为同一导电型的半导体区域。

4.如权利要求1或2所述的堆叠式电容结构,其中该些金属层中在该栅极上方的第奇数个金属层均作为一第一电容电极,第偶数个金属层均作为一第二电容电极,且该第奇数个金属层电性连接至该第一源/漏极与该第二源/漏极,该第偶数个金属层电性连接至该栅极。

5.如权利要求4所述的堆叠式电容结构,还包含:

一第一开关,其一端电性连接一阳电极,而另一端电性连接该第二电容电极;以及

一第二开关,其一端电性连接一阴电极及该第一电容电极,而另一端电性连接该第二电容电极。

6.如权利要求2所述的堆叠式电容结构,其中该些梳状结构单元的数量为四个,区分为一第一梳状结构单元、一第二梳状结构单元、一第三梳状结构单元与一第四梳状结构单元,该第一、第三梳状结构单元沿着一第一对称轴与该第二、第四梳状结构单元呈轴对称,该第一、第二梳状结构单元沿着一第二对称轴与该第三、第四梳状结构单元呈轴对称,该第一、第二对称轴相互垂直地交会于该些梳状结构单元所包围的中心处。

7.如权利要求6所述的堆叠式电容结构,其中该第一梳状结构单元连接该第二梳状结构单元,该第三梳状结构单元连接该第四梳状结构单元,该第二梳状结构单元连接该第四梳状结构单元,该第一梳状结构单元与该第三梳状结构单元互不相连。

8.如权利要求7所述的堆叠式电容结构,其中该第一梳状结构单元中最长的该第一、第二金属条与该第二梳状结构单元中最长的该第一、第二金属条连接,第三梳状结构单元中最长的该第一、第二金属条与该第四梳状结构单元中最长的该第一、第二金属条连接,且该第二梳状结构单元中的该第二金属连接件与该第四梳状结构单元中的该第二金属连接件连接。

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