[发明专利]一种半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201610633438.2 | 申请日： | 2016-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN107689324B | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成具有窗口的掩膜层，所述窗口对应于所述半导体衬底中待形成的沟槽；
执行预先离子注入，所述预先离子注入的注入方向与所述半导体衬底的法线方向具有夹角，以在所述半导体衬底的顶部形成离子注入区域；
以所述掩膜层为掩膜，刻蚀所述半导体衬底以形成所述沟槽；
在所述沟槽中填充隔离材料以形成浅沟槽隔离结构；
去除所述掩膜层；以及
对所述半导体衬底执行后续离子注入。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预先离子注入的注入源为BF2或B。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述预先离子注入的注入能量为2K-40KeV，所述预先离子注入的注入剂量为5×1012-5×1013离子/平方厘米。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述预先离子注入为倾斜离子注入，所述夹角为15°-45°。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预先离子注入的注入源包括碳离子、氟离子、氮离子中的一种或多种。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述预先离子注入的注入能量为4K-20KeV，所述预先离子注入的注入剂量为1×1013-1×1014离子/平方厘米。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述预先离子注入为倾斜离子注入，所述夹角为0°-40°。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预先离子注入为等离子体注入。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述后续离子注入为阱区注入、沟道注入、阈值电压调整注入中的一种或多种。
10.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件采用权利要求1-9中任一项所述的方法制成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
