[发明专利]LED芯片的制备方法

权利要求书

1.一种LED芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

在衬底(1)的上方生成保护层(6)，形成保护结构；

在所述保护结构上进行切割生成凹槽(4)，形成第一凹槽结构，所述凹槽(4)穿透所述保护层(6)并延伸到所述衬底(1)的内部；

将所述第一凹槽结构在保护层洗涤溶液中进行保护层洗涤，以去除所述保护层(6)，形成第二凹槽结构；

在所述第二凹槽结构的上方形成外延层(2)；

在所述外延层(2)上设置正电极(11)和负电极(3)，生成芯片结构；

将所述芯片结构沿着所述凹槽(4)进行崩裂，生成多个LED芯片。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，生成所述保护层(6)的材料包括以下中的任意一者：二氧化硅、氮化硅、金、以及钛。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述凹槽(4)的深度为20-40微米，宽度为6-15微米。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述凹槽(4)在相互垂直的两个方向上延伸。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述保护层洗涤溶液为含有氟化氢和氟化铵的水溶液。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述保护结构上进行切割生成凹槽(4)，形成第一凹槽结构的步骤之后，所述方法还包括：

将所述第一凹槽结构在副产物洗涤溶液中进行副产物洗涤，以去除切割生成的副产物(5)。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述副产物洗涤的温度为200-300℃，时间为5-20分钟。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述副产物洗涤溶液为酸溶液或碱溶液，所述酸溶液包括15-40％质量的硫酸、40-70％质量的磷酸和5-20％质量的水，所述碱溶液包括30-50％质量的氢氧化钠或氢氧化钾。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述外延层(2)包括缓冲层(7)、N型氮化镓层(8)、发光层(9)、以及P型氮化镓层(10)，所述在所述第二凹槽结构的上方形成外延层(2)的步骤包括：

在所述第二凹槽结构的上方生成所述缓冲层(7)；

在所述缓冲层(7)的上方生成所述N型氮化镓层(8)；

在所述N型氮化镓层(8)的上方生成所述发光层(9)；

在所述发光层(9)的上方生成所述P型氮化镓层(10)。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述在所述外延层(2)上设置正电极(11)和负电极(3)，生成所述芯片结构的步骤包括：

在所述P型氮化镓层(10)的表面制作所述正电极(11)；

在所述N型氮化镓层(8)的表面制作所述负电极(3)。