[发明专利]图案化光阻的形成方法

权利要求书

1.一种图案化光阻的形成方法，其特征在于，包括：

提供一基底，在所述基底表面涂覆第一光阻层；

对所述第一光阻层进行第一次曝光、显影，形成第一子图案和若干个沟槽，并且对所述第一子图案进行第一次加热固化处理；

在所述沟槽中形成一牺牲区域，然后采用灰化工艺去除所述牺牲区域，以提高所述第一子图案的结构的稳固性和均匀性；

在去除所述牺牲区域之后，再涂覆第二光阻层，所述第二光阻层填充所述沟槽，并覆盖所述第一子图案；

对所述第二光阻层进行第二次曝光、显影，在所述第一子图案上形成第二子图案。

2.如权利要求1所述的图案化光阻的形成方法，其特征在于，在所述沟槽中形成一牺牲区域的步骤包括：

涂覆一牺牲层，所述牺牲层填充所述沟槽，并覆盖所述第一子图案；

对所述牺牲层进行曝光、显影，在所述沟槽中形成所述牺牲区域。

3.如权利要求2所述的图案化光阻的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为光阻剂。

4.如权利要求3所述的图案化光阻的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的厚度为5um-40um。

5.如权利要求3所述的图案化光阻的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的光阻剂与所述第一光阻层、第二光阻层的材料具有相反的特性。

6.如权利要求5所述的图案化光阻的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的光阻剂为正性光阻剂。

7.如权利要求1所述的图案化光阻的形成方法，其特征在于，所述第一光阻层和第二光阻层的材料均为负性光阻剂。

8.如权利要求7所述的图案化光阻的形成方法，其特征在于，所述负性光阻剂为聚酰亚胺。

9.如权利要求1所述的图案化光阻的形成方法，其特征在于，所述第一次曝光和第二次曝光所用的掩膜版的图案相同。

10.如权利要求1所述的图案化光阻的形成方法，其特征在于，所述第一次加热固化处理的温度范围为100摄氏度-500摄氏度，所述第一次加热固化处理的气体氛围为氮气。

11.如权利要求1所述的图案化光阻的形成方法，其特征在于，在所述显影完成后，对所述第一子图案和第二子图案进行第二次加热固化处理，形成若干个开口。

12.如权利要求11所述的图案化光阻的形成方法，其特征在于，所述第二次加热固化处理的温度范围为100摄氏度-500摄氏度，所述第二次加热固化处理的气体氛围为氮气。

13.如权利要求11所述的图案化光阻的形成方法，其特征在于，在所述第二次加热固化处理后，还包括：

在所述开口中形成另一牺牲区域，然后去除所述另一牺牲区域；

涂覆第三光阻层，所述第三光阻层填充所述开口，并覆盖所述第二子图案；

对所述第三光阻层进行第三次曝光、显影。

14.如权利要求1所述的图案化光阻的形成方法，其特征在于，所述第一光阻层和第二光阻层的总厚度范围为10um-100um。

15.如权利要求14所述的图案化光阻的形成方法，其特征在于，所述第一光阻层的厚度为所述总厚度的1/3至1/2。