[发明专利]接合结构及其形成方法

权利要求书

1.一种形成接合结构的方法，包括：

在导电焊盘上方形成第一介电层；

在所述第一介电层上方形成第二介电层；

蚀刻所述第二介电层以形成第一开口，所述第一介电层的顶面暴露于所述第一开口；

形成延伸至所述第一开口中的共形介电层，其中，所述共形介电层包括与所述第一介电层的顶面接触的底部，并且所述底部的底面位于所述第一介电层的顶面和底面之间；

形成填充所述第一开口的模板层；

在所述模板层上方形成图案化的光刻胶；

蚀刻所述模板层和所述第一介电层以形成第二开口，所述导电焊盘的顶面暴露于所述第二开口，其中，使用所述图案化的光刻胶作为蚀刻掩模来蚀刻所述模板层和所述第一介电层；

去除所述图案化的光刻胶；以及

利用所述模板层而不是所述图案化的光刻胶作为镀模板在所述第二开口中镀导电柱，

其中，所述导电柱贯穿所述共形介电层的底部和位于所述共形介电层的底部之下的所述第一介电层。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

使所述导电柱与封装件组件接触，而所述共形介电层与所述封装件组件间隔开；以及

将所述导电柱与所述封装件组件分离。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：蚀刻所述模板层以再次暴露出所述第一开口，其中，所述导电柱的侧壁暴露于所述第一开口。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述导电柱与所述共形介电层的侧壁间隔开。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：通过焊料区域将所述导电柱接合至导电部件，其中，所述焊料区域填充所述第一开口并且接触所述导电柱的侧壁。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，实施镀所述导电柱而不形成毯式晶种层。

7.一种形成接合结构的方法，包括：

在导电焊盘上方形成第一介电层，而所述第一介电层是平坦层；

在所述第一介电层上方形成第二介电层；

蚀刻所述第二介电层以形成第一开口，其中，当暴露出所述第一介电层的顶面时，停止蚀刻所述第二介电层；

形成延伸至所述第一开口的共形介电层，其中，所述共形介电层包括与所述第一介电层的顶面接触的底部，并且所述底部的底面位于所述第一介电层的顶面和底面之间；

在所述共形介电层上方形成填充所述第一开口的模板层；

在所述模板层上方形成图案化的光刻胶；

使用所述图案化的光刻胶作为蚀刻掩模来蚀刻所述模板层、所述共形介电层和所述第一介电层以形成第二开口；

去除所述图案化的光刻胶；

利用所述模板层而不是所述图案化的光刻胶作为镀模板在所述第二开口中镀导电柱，所述导电柱连接至所述导电焊盘；以及

去除所述模板层，

其中，所述导电柱贯穿所述共形介电层的底部和位于所述共形介电层的底部之下的所述第一介电层。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，使用正硅酸乙酯(TEOS)作为前体形成所述模板层。

9.根据权利要求7所述的方法，还包括：

使所述导电柱的顶面与封装件组件中的导电部件的表面接触，而所述共形介电层与所述封装件组件间隔开；以及

在所述接触之后，将所述导电柱与所述封装件组件分离。

10.根据权利要求7所述的方法，其中，在去除所述模板层之后，再次暴露出所述第一开口的部分，并且所述导电柱的侧壁暴露于所述第一开口。

11.根据权利要求7所述的方法，其中，所述导电柱包括：

接触所述导电焊盘的所述顶面的第一金属材料；以及

位于所述第一金属材料上方且接触所述第一金属材料的第二金属材料。