[发明专利]分布反馈半导体激光器及其制备方法有效
| 申请号： | 201610646149.6 | 申请日： | 2016-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN107706738B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 王健;罗毅;孙长征;熊兵 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12;H01S5/32 |
| 代理公司： | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人： | 郑海威 |
| 地址： | 100084 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 分布 反馈 半导体激光器 及其 制备 方法 | ||
1.一种DFB半导体激光器，包括衬底、光栅和两个端面，其特征在于：所述光栅为表面光栅，所述端面为刻蚀形成的端面，所述两个端面中的一个端面为对称的渐变尖锥曲面，该对称的渐变尖锥曲面的对称轴和所述DFB半导体激光器的波导方向平行；所述两个端面中的另一个端面为平面，该平面与所述DFB半导体激光器的波导方向垂直；所述DFB半导体激光器包括一个条状波导的欧姆接触层和波导上限制层，所述光栅位于所述条状波导的欧姆接触层和波导上限制层的两侧，由周期性排列的半导体区域和绝缘填充区域构成，形成用于纵模选择的折射率耦合表面光栅和横模选择的脊波导；所述衬底具有一平行于DFB半导体激光器的波导方向的表面，所述端面与所述衬底的所述表面垂直。
2.根据权利要求1所述的DFB半导体激光器，其特征在于：所述DFB半导体激光器在使用时，电流从所述光栅的半导体区域注入，而不从所述绝缘填充区域注入，形成含有增益耦合机制的表面光栅。
3.根据权利要求1所述的DFB半导体激光器，其特征在于：所述DFB半导体激光器进一步包括抗反射膜，所述端面在无需解离衬底的情况下镀所述抗反射膜。
4.根据权利要求1所述的DFB半导体激光器，其特征在于：所述DFB半导体激光器进一步包括一抗反射膜和一高反射膜，所述两个端面中的一个端面在无需解离衬底的情况下镀所述抗反射膜，所述两个端面中的另一个端面在无需解离衬底的情况下镀所述高反射膜。
5.根据权利要求1所述的DFB半导体激光器，其特征在于：所述DFB半导体激光器进一步包括一p型电极和一n型电极，该p型电极和该n型电极位于所述光栅的两侧，并且位于所述衬底的同一侧。
6.一种DFB半导体激光器的制备方法，其特征在于：所述DFB半导体激光器在整个制备方法中只需要一次外延，通过刻蚀欧姆接触层和波导上限制层，以及填充绝缘材料形成一表面光栅，通过刻蚀形成两个端面，所述两个端面中的一个端面为对称的渐变尖锥曲面，该对称的渐变尖锥曲面的对称轴和所述DFB半导体激光器的波导方向平行；所述两个端面中的另一个端面为平面，该平面与所述DFB半导体激光器的波导方向垂直；所述表面光栅位于所述欧姆接触层和波导上限制层的两侧，由周期性排列的半导体区域和绝缘填充区域构成，形成用于纵模选择的折射率耦合表面光栅和横模选择的脊波导；所述DFB半导体激光器包括一衬底，所述衬底具有一平行于DFB半导体激光器的波导方向的表面，所述端面与所述衬底的所述表面垂直。
7.根据权利要求6所述的DFB半导体激光器的制备方法，其特征在于：进一步包括一在无需解离衬底的情况下，对所述两个端面进行光学镀膜的步骤。
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