[发明专利]一种交叉垂直SiO2 有效
| 申请号： | 201610648682.6 | 申请日： | 2016-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN106276922B | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 吕航;杨喜宝;陈双龙;王秋实;王莉丽;朱革;辛双宇;董恩来;刘秋颖 | 申请（专利权）人： | 渤海大学 |
| 主分类号： | C01B33/12 | 分类号： | C01B33/12;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 沈阳智龙专利事务所(普通合伙) 21115 | 代理人： | 宋铁军 |
| 地址： | 121013 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 交叉 垂直 sio base sub | ||
1.一种SiO2交叉垂直晶体纳米棒，其特征在于直径为100-800 nm，SiO2纳米棒在衬底上相互间呈90 °交叉排列生长，整体呈独特三维结构排列；
制备SiO2交叉垂直晶体纳米棒的方法步骤如下：
第一步：将衬底基片和载物石英舟、两端开口石英管进行预处理清洗干净，需先用丙酮超声，再用去离子水清洗；
第二步：将SiO粉作为反应源，放入石英舟内，然后将预处理完毕的衬底基片亮面朝下盖在石英舟内的反应源上，但不能与反应源接触，接下来再将石英舟放进两端开口石英管内，最后再将此石英管反应体系放入管式炉内，通入保护气体Ar；
第三步：将炉子升温至使炉内源温度达到适宜的反应温度，保温3-4 hrs，反应结束后将反应温度降室温并取出石英管，所述生长衬底上即生长出白色絮状交叉垂直的SiO2纳米棒；
反应源的反应温度为1050 ºC时，沉积温度范围在1040-1050 ºC；反应源的反应温度为1150 ºC时，沉积温度范围在1140-1150 ºC；
第二步中保护气体的流量为80-90sccm。
2.根据权利要求1所述的SiO2交叉垂直晶体纳米棒，其特征在于：所述纳米棒的制备不使用催化剂，产物成分为Si和O。
3.根据权利要求1所述的交叉垂直SiO2纳米棒的制备方法，其特征在于：该方法步骤如下：
第一步：将衬底基片和载物石英舟、两端开口石英管进行预处理清洗干净，需先用丙酮超声，再用去离子水清洗；
第二步：将SiO粉作为反应源，放入石英舟内，然后将预处理完毕的衬底基片亮面朝下盖在石英舟内的反应源上，但不能与反应源接触，接下来再将石英舟放进两端开口石英管内，最后再将此石英管反应体系放入管式炉内，通入保护气体Ar；
第三步：将炉子升温至使炉内源温度达到适宜的反应温度，保温3-4 hrs，反应结束后将反应温度降室温并取出石英管，所述生长衬底上即生长出白色絮状交叉垂直的SiO2纳米棒；
反应源的反应温度为1050 ºC时，沉积温度范围在1040-1050 ºC；反应源的反应温度为1150 ºC时，沉积温度范围在1140-1150 ºC；
第二步中保护气体的流量为80-90sccm。
4.根据权利要求3所述的交叉垂直SiO2纳米棒的制备方法，其特征在于：所述的衬底为Si片或石英片。
5.根据权利要求3所述的交叉垂直SiO2纳米棒的制备方法，其特征在于：制备的SiO2交叉垂直晶体纳米棒直径为100-800nm，且在衬底上相互间呈90°交叉排列生长，整体呈独特三维结构排列。
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