[发明专利]一种制备铜铋硫薄膜的方法

权利要求书

1.一种制备铜铋硫薄膜的方法，其特征在于：所述方法步骤如下：

步骤1.将洁净的基底放入真空蒸镀装置中，真空蒸镀装置的腔室压强控制在1×10^-5Pa～5×10^-2Pa，打开铋蒸发源的电源将铋蒸发源加热至200℃～300℃，然后开始金属铋的蒸镀，关闭铋蒸发源的电源停止金属铋的蒸镀；待真空蒸镀装置的腔室内温度降至100℃以下且压强控制在1×10^-4Pa～5×10^-2Pa时，打开CuS蒸发源的电源将CuS蒸发源加热至800℃～1100℃，然后开始CuS的蒸镀，关闭CuS蒸发源的电源停止CuS的蒸镀；待真空蒸镀装置的腔室内温度降至100℃以下时，停止对真空蒸镀装置抽真空，取出沉积金属铋薄膜和CuS薄膜的基底；

步骤2.在加热炉中放置固体硫，并在距离固体硫5cm～20cm处放置沉积金属铋薄膜和CuS薄膜的基底；然后，先对加热炉进行抽真空处理，再通入流量为20sccm～100sccm的氢氩混合气体，并控制加热炉内的压强为20torr～100torr，然后在400℃～600℃下热处理30min～60min，冷却，基底上沉积的薄膜即为所述的铜铋硫薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种制备铜铋硫薄膜的方法，其特征在于：所述基底是厚度为0.2mm～4mm，在波长为400nm～3000nm电磁波下的透过率≥90％的玻璃。

3.根据权利要求1所述的一种制备铜铋硫薄膜的方法，其特征在于：基底上沉积的金属铋薄膜的厚度为

4.根据权利要求1所述的一种制备铜铋硫薄膜的方法，其特征在于：沉积的CuS薄膜的厚度为

5.根据权利要求1所述的一种制备铜铋硫薄膜的方法，其特征在于：所述氢氩混合气体中，氢气与氩气的体积比为1:4～19。

6.根据权利要求2所述的一种制备铜铋硫薄膜的方法，其特征在于：基底的清洗方法如下：将基底放入半导体清洗剂和去离子水按1:50质量比配制的混合溶液中，然后加热到60℃～70℃，保持15min～30min后，继续升温至80℃～90℃，超声清洗15min～30min后，取出基底并用去离子水反复冲洗3～5次，再用纯度≥99.999％的N₂吹干。