[发明专利]一种半导体焊接用铜线的加工方法

权利要求书

1.一种半导体焊接用铜线的加工方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、按重量百分含量将Ag 0.01-0.03%，Fe 0.01-0.03%，Ni 0.005-0.01%，P 0.003-0.008%，B 0.001-0.003%，Pd 0.003-0.006%，Nb 0.001-0.003%，稀土元素0.008-0.012%，余量为纯度≥99.99%的无氧铜混合后，在氮气保护下加入高频炉中进行熔炼，升温至1220-1250℃，保温至熔化完全得到熔液，精炼20-40min后，经定向凝固得到直径为10-15mm的铜杆坯；

S2、将S1中得到的铜杆坯加热到950-980℃后进行热轧加工，得到直径为2-4mm的铜母线，终轧温度为730-750℃，将所述铜母线铣面去除氧化皮后进行截面收缩率为35-45%的冷轧加工，在570-600℃的退火温度下退火处理2-6min，再进行截面收缩率为15-25%的冷轧加工，在530-550℃的退火温度下退火处理1-5min，再进行截面收缩率为5-10%的冷轧加工；

S3、将S2中得到的铜母线进行多道次拉拔，得到直径为0.01-0.05mm的铜线，并在不同道次拉拔之间进行中间连续退火，退火温度为480-510℃，退火速度为130-180rpm，得到所述半导体焊接用铜线；

S1中，（[Fe]+[Ni]）:[P]=5-6，[Fe]为Fe在熔液的中的重量百分含量，[Ni]为Ni在熔液的中的重量百分含量，[P]为P在熔液的中的重量百分含量。

2.根据权利要求1所述半导体焊接用铜线的加工方法，其特征在于，S1中，所述稀土元素为镧La、铈Ce、钇Y、钆Gd中的一种或者多种的组合。

3.根据权利要求1或2所述半导体焊接用铜线的加工方法，其特征在于，S1中，升温至1220-1250℃过程中，升温过程中符合，T为升温温度，T的单位为℃，t为升温时间，t的单位为min。

4.根据权利要求1或2所述半导体焊接用铜线的加工方法，其特征在于，S2中，热轧采用Y250-8型三辊连轧机列，轧制过程中，将所述铜杆坯先轧至直径为7-8mm，再轧至直径为5-6mm，最后轧至直径为2-4mm。

5.根据权利要求1或2所述半导体焊接用铜线的加工方法，其特征在于，S2中，先在580℃的退火温度下退火处理4min，再在540℃的退火温度下退火处理3min。

6.根据权利要求1或2所述半导体焊接用铜线的加工方法，其特征在于，S3中，在进行中间连续退火时通入氮气和氢气的混合气体，氮气的流量为6-8L/min，氢气的流量为0.5-1L/min。