[发明专利]反应腔室以及半导体加工设备

权利要求书

1.一种反应腔室，包括基座、基座升降机构和压环，所述基座用于承载晶片；所述基座升降机构用于驱动所述基座上升或下降；所述压环用于在所述基座位于进行正常工艺的第一位置时压住晶片的边缘区域，且所述压环在所述基座位于进行预沉积工艺的第二位置时，与所述基座相分离，其特征在于，还包括：

预沉积内衬组件，环绕设置在所述基座和所述压环的下方，用于在进行预沉积工艺时阻挡金属粒子通过所述压环与所述基座之间的缝隙沉积到所述反应腔室的底部；

接地机构，用于分别将所述预沉积内衬组件和所述基座与所述反应腔室的底部腔室壁电导通，所述反应腔室的底部腔室壁接地；并且，

所述反应腔室还包括：

内衬升降机构，用于驱动所述预沉积内衬组件上升或下降。

2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述预沉积内衬组件包括环形本体，所述环形本体环绕设置在所述基座和所述压环的下方，用以阻挡所述金属粒子通过所述压环与所述基座之间的缝隙沉积到所述反应腔室的底部；

在所述环形本体的内端连接有环形的第一延伸部，所述第一延伸部水平延伸至所述基座的底部，且与其边缘区域相重叠；

所述环形本体的外径大于或等于所述压环的外径。

3.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，在所述环形本体与所述第一延伸部的连接处设置有螺旋管结构的导电线圈。

4.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，在所述环形本体的外端连接有环形的第二延伸部，所述第二延伸部竖直向上延伸，且其顶端位置高于所述压环的底端位置。

5.根据权利要求4所述的反应腔室，其特征在于，在所述环形本体与所述第二延伸部的连接处设置有螺旋管结构的导电线圈。

6.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述环形本体包括平板，

所述平板水平设置；或者，

所述平板倾斜设置，且倾斜的所述平板的内径由上而下逐渐减小。

7.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述环形本体包括第一平板和第二平板，其中

所述第一平板水平设置，所述第一平板的外径大于或等于所述压环的外径；

所述第二平板竖直设置在所述第一平板的内侧，并与所述第一平板的内端连接；所述第一延伸部与所述第二平板的内端连接。

8.根据权利要求7所述的反应腔室，其特征在于，分别在所述第一平板和第二平板的连接处，以及所述第一延伸部与所述第二平板的连接处设置有螺旋管结构的导电线圈。

9.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述内衬升降机构包括：

提升轴，所述提升轴的上端与所述预沉积内衬组件连接，所述提升轴的下端竖直向下延伸至所述反应腔室的外部；

驱动电机，与所述提升轴的下端连接，用于驱动所述提升轴上升或下降；

波纹管，套设在所述提升轴上，用于对所述提升轴与所述反应腔室之间的间隙进行密封。

10.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述反应腔室还包括：

顶针机构，其包括用于支撑晶片的至少三个顶针，所述至少三个顶针均与所述预沉积内衬组件连接，且沿所述基座的周向均匀分布；并且，

在所述基座位于进行取放片操作的第三位置时，所述内衬升降机构通过驱动所述预沉积内衬组件上升或下降，带动所述至少三个顶针上升或下降，以使所述至少三个顶针的顶端高于或低于所述基座的上表面。

11.根据权利要求1-8任意一项所述的反应腔室，其特征在于，所述反应腔室还包括：

顶针机构，其包括：

至少三个顶针，沿所述基座的周向均匀分布，用于支撑晶片；

顶针升降装置，用于驱动所述至少三个顶针上升或下降，以在所述基座位于进行取放片操作的第三位置时，使所述至少三个顶针的顶端高于或低于所述基座的上表面。

12.一种半导体加工设备，其特征在于，包括权利要求1-11任意一项所述的反应腔室和溅射电源，其中，在所述反应腔室的顶部设置有靶材，所述靶材与所述溅射电源电连接；在所述反应腔室内还设置有用于承载和固定晶片的基座和压环、以及用于驱动所述基座上升或下降的基座升降机构；所述压环用于在所述基座位于进行正常工艺的第一位置时压住晶片的边缘区域，且所述压环在所述基座位于进行预沉积工艺的第二位置时，与所述基座相分离。