[发明专利]一种基于SRAM型存储器的物理不可克隆函数响应纠错电路有效
| 申请号： | 201610654990.X | 申请日： | 2016-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN106301786B | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 阚诺文;刘伟强 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | H04L9/32 | 分类号： | H04L9/32 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 杨晓玲 |
| 地址： | 210016 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 sram 存储器 物理 不可 克隆 函数 响应 纠错 电路 | ||
【权利要求书】：
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