[发明专利]衬底结构、半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201610657471.9 | 申请日： | 2016-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN106629570A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 洪蔡豪;郭仕奇;李宗宪;刘陶承 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 结构 半导体 及其 制造 方法 | ||
1.一种用于微电子机械系统(MEMS)器件的衬底结构，包括：
盖，具有腔；以及
微电子机械系统(MEMS)衬底，设置在所述盖上，所述MEMS衬底具有暴露所述腔的多个孔洞，并且所述孔洞的纵横比大于30。
2.根据权利要求1所述的衬底结构，还包括：蚀刻停止层，设置在所述盖和所述MEMS衬底之间。
3.根据权利要求1所述的衬底结构，其中，所述孔洞的宽度在从1μm至2μm的范围内。
4.根据权利要求1所述的衬底结构，其中，所述孔洞的深度在从60μm至90μm的范围内。
5.根据权利要求1所述的衬底结构，其中，所述MEMS衬底还包括多个MEMS结构。
6.根据权利要求5所述的衬底结构，其中，所述MEMS结构包括加速度计、弹簧和电容器极板。
7.根据权利要求1所述的衬底结构，其中，所述盖和所述MEMS衬底是其中无有源组件的毯状晶圆。
8.一种制造半导体结构的方法，所述方法包括：
在第一衬底中形成沟槽；
将具有第二子孔洞的第二衬底堆叠在所述第一衬底上，并且所述第二子孔洞暴露所述沟槽；
将具有腔的盖接合在所述第二衬底上；以及
减小所述第一衬底的厚度以将所述沟槽转变为第一子孔洞。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，将具有所述第二子孔洞的所述第二衬底堆叠在所述第一衬底上包括：
在所述第一衬底上形成所述第二衬底；
减小所述第二衬底的厚度；以及
在所述第二衬底中形成所述第二子孔洞以暴露所述沟槽。
10.一种制造半导体结构的方法，所述方法包括：
接收具有腔的盖；
在所述腔中填充第一支撑层；
形成第一衬底以覆盖所述第一支撑层；
在所述第一衬底中形成第一子孔洞以暴露所述第一支撑层；
在所述第一子孔洞中填充第二支撑层；
形成第二衬底以覆盖所述第二支撑层；
在所述第二衬底中形成第二子孔洞以暴露所述第二支撑层；以及
去除所述第一支撑层和所述第二支撑层。
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