[发明专利]图像传感器在审
申请号: | 201610657525.1 | 申请日: | 2016-08-11 |
公开(公告)号: | CN106960853A | 公开(公告)日: | 2017-07-18 |
发明(设计)人: | 李雄熙 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人: | 李少丹,许伟群 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 | ||
1.一种图像传感器,包括:
多个单位像素组;以及
隔离结构,适用于在所述多个单位像素组之间进行绝缘,
其中,隔离结构包括:
第一导电类型导电层,形成在衬底之上;以及
第二导电类型拾取区,形成在第一导电类型导电层中并且设置在所述多个单位像素组中的每个之间。
2.如权利要求1所述的图像传感器,其中隔离结构还包括:
元件隔离层,形成在第一导电类型导电层之上并且具有与第二导电类型拾取区接触的底表面;以及
插塞,穿过元件隔离层而形成,并且连接第二导电类型拾取区。
3.如权利要求1所述的图像传感器,其中,正电压被施加至第二导电类型拾取区,所述正电压在高于接地电压至等于或低于电源电压的电压范围内变化。
4.如权利要求1所述的图像传感器,其中,当所述多个单位像素组以全局快门模式操作时,正电压在积分时间期间被施加至第二导电类型拾取区。
5.如权利要求1所述的图像传感器,其中,当所述多个单位像素组以卷帘快门模式操作时,正电压一直被施加至第二导电类型拾取区。
6.如权利要求1所述的图像传感器,其中,第一导电类型导电层包括在衬底中形成的第一导电类型阱,或者在衬底之上形成的第一导电类型外延层。
7.如权利要求1所述的图像传感器,其中,所述多个单位像素组中的每个包括:
光接收部分,包括多个光电转换元件,所述多个光电转换元件适用于响应于入射光而产生光电荷并且共用单个浮置扩散区;以及
输出部分,适用于输出与光接收部分中产生的光电荷相对应的图像信号。
8.如权利要求7所述的图像传感器,其中,第二导电类型拾取区设置在每个光接收部分之间。
9.如权利要求1所述的图像传感器,其中,第二导电类型拾取区具有点的形状。
10.一种图像传感器,包括:
多个单位像素组;
隔离结构,适用于在所述多个单位像素组之间进行绝缘;以及
第一导电类型的第一拾取区,形成在隔离结构中并且设置在所述多个单位像素组中的每个之间,
其中,隔离结构包括:
第一导电类型导电层;以及
第二导电类型的第二拾取层,形成在第一导电类型导电层中并且设置在所述多个单位像素组中的每个之间。
11.如权利要求10所述的图像传感器,其中隔离结构还包括:
元件隔离层,形成在第一导电类型导电层之上并且具有与第一拾取区和第二拾取区接触的底表面;
第一插塞,穿过元件隔离层而形成,并且连接第一拾取区;以及
第二插塞,穿过元件隔离层而形成,并且连接第二拾取区。
12.如权利要求10所述的图像传感器,其中,正电压被施加至第二拾取区,所述正电压在高于接地电压至等于或低于电源电压的电压范围内变化。
13.如权利要求10所述的图像传感器,其中,当所述多个单位像素组以全局快门模式操作时,正电压在积分时间期间被施加至第二拾取区。
14.如权利要求10所述的图像传感器,其中,当所述多个单位像素组以卷帘快门模式操作时,正电压一直被施加至第二拾取区。
15.如权利要求10所述的图像传感器,其中,接地电压被施加至第一拾取区。
16.如权利要求10所述的图像传感器,其中,第一导电类型导电层包括在衬底中形成的第一导电类型阱,或者在衬底之上形成的第一导电类型外延层。
17.如权利要求10所述的图像传感器,其中,所述多个单位像素组中的每个包括:
光接收部分,包括多个光电转换元件,所述多个光电转换元件适用于响应于入射光而产生光电荷并且共用单个浮置扩散区;以及
输出部分,适用于输出与光接收部分中产生的光电荷相对应的图像信号。
18.如权利要求17所述的图像传感器,其中,第一拾取区设置在每个输出部分之间。
19.如权利要求17所述的图像传感器,其中,第二拾取区设置在每个光接收部分之间。
20.如权利要求10所述的图像传感器,其中,第一拾取区和第二拾取区具有点的形状。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的