[发明专利]自对准互连结构和方法

权利要求书

1.一种制造集成电路的方法，包括：

提供衬底，所述衬底具有第一介电材料层和嵌入在所述第一介电材料层中并且被所述第一介电材料层的部分彼此横向隔开的第一导电部件；

在所述第一介电材料层和所述第一导电部件上沉积第一蚀刻停止层，由此形成所述第一蚀刻停止层，所述第一蚀刻停止层具有与所述第一介电材料层的所述部分自对准的富氧部分和与所述第一导电部件自对准的贫氧部分；

实施对所述第一蚀刻停止层的选择性去除工艺，由此选择性地去除所述第一蚀刻停止层的所述贫氧部分；

在所述第一导电部件和所述第一蚀刻停止层的所述富氧部分上形成第二蚀刻停止层，其中，所述第二蚀刻停止层在组成上不同于所述第一蚀刻停止层；

在所述第二蚀刻停止层上形成第二介电材料层；以及

在所述第二介电材料层中形成导电结构，其中，所述导电结构与至少一个所述第一导电部件电连接。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第二介电材料层中形成所述导电结构包括：

实施对所述第二介电材料层的第一蚀刻工艺，由此在所述第二介电材料层中形成开口；以及

在所述第二介电材料层的所述开口中形成第二导电部件。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述第二导电部件包括用导电材料填充所述开口以及抛光所述导电材料。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述导电结构包括实施双镶嵌工艺，由此形成具有金属线和金属通孔部件的所述第二导电部件，所述金属通孔部件电连接所述金属线和所述第一导电部件。

5.根据权利要求2所述的方法，还包括穿过所述第二介电材料层中的所述开口实施对所述第二蚀刻停止层的第二蚀刻工艺。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述第一蚀刻停止层包括沉积选自由氧化铪、氧化锆、氧化铝或它们的组合组成的组的金属氧化物。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，通过使用含氧化学物质和含金属化学物质的原子层沉积来执行所述金属氧化物的所述沉积。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，

所述含金属化学物质选自由四(乙基甲基氨基)铪(TEMA-Hf)、四(乙基甲基酰胺基)锆(TEMA-Zr)、三甲基铝(TMA)、三(二甲基酰胺基)铝(TDMAA)及它们的组合组成的组。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述第一蚀刻停止层包括形成具有所述富氧部分和所述贫氧部分的所述第一蚀刻停止层，所述富氧部分具有大于80％的第一金属-氧接合浓度并且所述贫氧部分具有小于40％的第二金属-氧接合浓度。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，实施对所述第一蚀刻停止层的所述选择性去除工艺包括：使用湿蚀刻溶液实施湿清洗工艺使得所述贫氧部分和所述富氧部分之间的蚀刻选择比大于3。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述蚀刻剂包括湿清洗组分；金属-氧化物去除组分以及抑制剂组分。