[发明专利]氧化物半导体膜及半导体装置有效
| 申请号： | 201610663376.X | 申请日： | 2012-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN106057865B | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 高桥正弘;秋元健吾;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/04 | 分类号： | H01L29/04;H01L29/786 |
| 代理公司： | 31100 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陆蔚 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
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