[发明专利]还原炉及使用该还原炉的多晶硅生产工艺在审
| 申请号： | 201610666386.9 | 申请日： | 2016-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN107758671A | 公开（公告）日： | 2018-03-06 |
| 发明（设计）人： | 齐林喜;贾海军 | 申请（专利权）人： | 内蒙古盾安光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/03 | 分类号： | C01B33/03 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 015543 内蒙古自*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 还原 使用 多晶 生产工艺 | ||
1.一种还原炉，用于多晶硅生产，包括还原炉底盘、设置在还原炉底盘上的还原炉钟罩及设置在还原炉底盘上的电极，其特征在于，电极的间距在80到200毫米之间。
2.如权利要求1所述的还原炉，其特征在于：电极为环形排布，包括第一环层及位于第一环层内的第二环层。
3.如权利要求2所述的还原炉，其特征在于：电极之间的间距为80毫米。
4.如权利要求2所述的还原炉，其特征在于：位于外侧的第一环层的电极间距大于位于内侧的第二环层的电极间距。
5.如权利要求2所述的还原炉，其特征在于：第一环层和第二环层的电极间距大于第一环层的电极与第二环层的电极之间的间距。
6.如权利要求2所述的还原炉，其特征在于：第二环层的电极和第一环层的电极错落分布，第二环层的电极位于第一环层的两个电极之间。
7.如权利要求1所述的还原炉，其特征在于：还原炉钟罩上还设有还原炉窥视孔，还原炉窥视孔的数量为三个，在还原炉钟罩上按照上中下依次分布。
8.如权利要求1所述的还原炉，其特征在于：还原炉底盘上的电极按照六边形的方式排布。
9.如权利要求1所述的还原炉，其特征在于：还原炉底盘包括基础底盘与可拆卸地设置在基础底盘上的附加底盘，基础底盘上开设有安装附加底盘的安装槽。
10.一种多晶硅生产工艺，包括如下步骤：提供如权利要求1-9中任一项所述还原炉；将硅芯设置在电极上；通入三氯氢硅和氢气进入还原炉内发生反应；开炉取出生长完成的硅棒。
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