[发明专利]一种近红外单光子雪崩光电二级管的参数优化方法及平台

权利要求书

1.一种近红外单光子雪崩光电二级管的参数优化方法，其特征在于，包括：

获取输入的近红外单光子雪崩光电二级管的在预定工作温度下的结构参数；

根据结构参数并结合高斯方程计算近红外单光子雪崩光电二级管的电场分布，进而得到近红外单光子雪崩光电二级管倍增层各位置的雪崩概率；

根据得到的雪崩概率与电场分布计算近红外单光子雪崩光电二级管的本征参数；

其中，计算近红外单光子雪崩光电二级管倍增层各位置的雪崩概率的公式包括：

dPedx=(1-Pe)αe[Pe+Ph-Pe·Ph];]]>

dPhdx=-(1-Ph)αh[Pe+Ph-Pe·Ph];]]>

上式中，P_e与P_h分别为电子与空穴在近红外单光子雪崩光电二级管倍增层内x'位置触发雪崩的概率，α_e与α_h分别为电子与空穴在近红外单光子雪崩光电二级管倍增层内x'位置处的电离系数；

则电子与空穴对在近红外单光子雪崩光电二级管倍增层内x位置触发雪崩的概率P_b(x')为：

P_b(x')＝1-(1-p_e(x'))(1-p_h(x'))。