[发明专利]一种存储设备控制芯片、存储设备及存储设备管理方法有效
申请号: | 201610675025.0 | 申请日: | 2016-08-16 |
公开(公告)号: | CN107765989B | 公开(公告)日: | 2020-08-11 |
发明(设计)人: | 戴瑾 | 申请(专利权)人: | 上海磁宇信息科技有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
代理公司: | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人: | 于晓菁 |
地址: | 201800 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 存储 设备 控制 芯片 设备管理 方法 | ||
1.一种存储设备控制器芯片,包括CPU、NAND控制器以及主机接口,其特征在于,所述存储设备控制器芯片还包括MRAM,所述MRAM中设置有存储地址表,所述存储地址表用于记录逻辑物理地址对照表每一页在NAND中的存储位置,所述逻辑物理地址对照表记录供系统软件使用的数据/文件页存储的逻辑地址与数据/文件实际存储的物理NAND页地址的对应关系;其中一个逻辑物理地址对照表的页发生修改时,找到一个空闲的、已经擦除过的NAND页;将所述逻辑物理地址对照表的页写入所述NAND页中;回收MRAM中存储地址表中相应记录的地址对应的NAND页;更新MRAM中存储地址表中相应记录的地址为所述逻辑物理地址对照表的页写入所述NAND页的地址。
2.一种存储设备,包括一组NAND芯片,其特征在于,所述存储设备还包括存储设备控制器芯片与MRAM,所述MRAM中设置有存储地址表,所述存储地址表用于记录逻辑物理地址对照表每一页的存储位置;其中一个逻辑物理地址对照表的页发生修改时,找到一个空闲的、已经擦除过的NAND页;将所述逻辑物理地址对照表的页写入所述NAND页中;回收MRAM中存储地址表中相应记录的地址对应的NAND页;更新MRAM中存储地址表中相应记录的地址为所述逻辑物理地址对照表的页写入所述NAND页的地址。
3.如权利要求2所述的存储设备,其特征在于,所述MRAM集成在所述存储设备控制器芯片上。
4.如权利要求2所述的存储设备,其特征在于,所述MRAM为独立芯片。
5.如权利要求2所述的存储设备,其特征在于,所述存储设备为eMMC存储卡、SD存储卡、UFS存储卡或固态硬盘。
6.一种存储设备管理方法,所述存储设备包括一组NAND芯片以及MRAM,所述MRAM中设置有存储地址表,所述存储地址表用于记录逻辑物理地址对照表每一页的存储位置;其特征在于,所述存储设备管理方法包括以下步骤:
(1)一个逻辑物理地址对照表的页发生修改时,找到一个空闲的、已经擦除过的NAND页;
(2)将所述逻辑物理地址对照表的页写入所述NAND页中;
(3)回收MRAM中存储地址表中相应记录的地址对应的NAND页;
(4)更新MRAM中存储地址表中相应记录的地址为步骤(2)中的NAND页的地址。
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