[发明专利]与MOS管集成的双多晶电容结构及制造方法在审
| 申请号： | 201610676009.3 | 申请日： | 2016-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN106298981A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 崔伟;张霞;朱坤峰;黄东;钱呈;谭开洲;杨永晖;梁柳洪;汪璐 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94;H01L21/336 |
| 代理公司： | 重庆信航知识产权代理有限公司50218 | 代理人： | 江涛 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mos 集成 多晶 电容 结构 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
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