[发明专利]一种多量子点核-二氧化硅壳复合结构的制备方法及其在LED中的应用

权利要求书

1.一种多量子点核-二氧化硅壳复合结构的制备方法，其特征在于：步骤如下：

(1)合成油溶性的CZIS/ZnS量子点：

将Cu源、Zn(OAc)₂、In(OAc)₃、硫粉、十二硫醇、油胺和油酸加入到三颈烧瓶中，在90-110℃下除气18-22min后，将混合物在氮气下加热到220-240℃，反应8-12min后，猝灭反应；将反应混合液冷却至75-85℃后，将油胺和十八烯溶解的Zn(OAc)₂溶液加入到上述混合液中，原位将ZnS壳长在CZIS核上；最后，将系统的温度上升到230-250℃反应18-22min，加入甲苯猝灭反应；

(2)多量子点核-二氧化硅壳复合结构的制备

将聚氧代乙烯(5)壬基苯基醚，环己烷和油溶性的CZIS/ZnS量子点混合均匀后，加入NH₄OH，2-3min后，加入正硅酸四乙酯搅拌22-26h得到复合结构，乙醇清洗后即得产物。

2.根据权利要求1所述的多量子点核-二氧化硅壳复合结构的制备方法，其特征在于：步骤如下：

(1)合成油溶性的CZIS/ZnS量子点：

将0.02-0.12mmol的Cu源、0.4mmol的Zn(OAc)₂、0.4mmol的In(OAc)₃、3.2mmol的硫粉、8mL的十二硫醇、4mL的油胺和2mL的油酸加入到三颈烧瓶中，在90-110℃下除气18-22min后，将混合物在氮气下加热到220-240℃，反应8-12min后，猝灭反应；将反应混合液冷却至75-85℃后，将油胺和十八烯溶解的Zn(OAc)₂溶液加入到上述混合液中，原位将ZnS壳长在CZIS核上；最后，将系统的温度上升到230-250℃反应18-22min，加入甲苯猝灭反应；

(2)多量子点核-二氧化硅壳复合结构的制备

将1g的聚氧代乙烯(5)壬基苯基醚，20mL的环己烷和6mL的油溶性的CZIS/ZnS量子点混合均匀后，加入170μL的NH₄OH，2-3min后，加入100μL的正硅酸四乙酯搅拌22-26h得到复合结构，乙醇清洗后即得产物。

3.根据权利要求1或2所述的多量子点核-二氧化硅壳复合结构的制备方法，其特征在于：所述的Cu源为CuCl、Cu(OAc)₂、CuI、CuCl₂中的一种。

4.根据权利要求2所述的多量子点核-二氧化硅壳复合结构的制备方法，其特征在于：步骤(1)中用油胺和十八烯溶解的Zn(OAc)₂溶液的制备方法如下：将0.8mmol的Zn(OAc)₂溶解在1-4mL的油胺和十八烯的混合物中制得，其中，油胺和十八烯的体积比为1:9。

5.根据权利要求1所述的多量子点核-二氧化硅壳复合结构的制备方法，其特征在于：制备而成的多量子点核-二氧化硅壳复合结构能够用于制备颜色可调的量子点LED，具体方法如下：将一种或多种不同Cu/In比例的多量子点核-二氧化硅壳复合结构溶解在氯仿中，然后，将溶液和固化胶B混合，在65-75℃的环境中加热0.8-1.2h除去氯仿，再加入主胶A混合均匀，将混合液滴到GaN芯片的表面，混合液在145-155℃下固化25-35分钟，得到颜色可调的量子点LED。