[发明专利]半导体组件在审
| 申请号： | 201610680500.3 | 申请日： | 2016-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN107768444A | 公开（公告）日： | 2018-03-06 |
| 发明（设计）人： | 楼百尧 | 申请（专利权）人： | 敦南科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/29 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 组件 | ||
1.一种半导体组件，包含有：
一晶粒；
一薄型金属垫，设置于该晶粒之上；
一钝化层，设置于该晶粒之上；
一厚型金属层，设置于该薄型金属垫之上，电性连接于该薄型金属垫；以及
一缓冲层，设置于该钝化层与该厚型金属层之间，用于避免该钝化层因该厚型金属层所产生的应力而碎裂。
2.如权利要求1所述的半导体组件，其中，所述半导体组件为一垂直型功率场效晶体管。
3.如权利要求1所述的半导体组件，其中，所述缓冲层的弹性模数小于对应于所述厚型金属层的弹性模数。
4.如权利要求1所述的半导体组件，其中，所述缓冲层由一光敏聚合物所组成。
5.如权利要求4所述的半导体组件，其中，所述光敏聚合物选自聚酰亚胺、聚苯恶唑、苯并环丁烯中的至少一种。
6.如权利要求1所述的半导体组件，另包含：一保护墙，设置于所述晶粒的周围，其中，所述保护墙与所述晶粒垂直，用于避免该半导体组件经一晶圆切割制程时因切割而导致碎裂。
7.一种半导体组件，包含有：
一晶粒；以及
一保护墙，设置于该晶粒之周围，其中该保护墙与该晶粒垂直，用于避免该半导体组件经一晶圆切割制程时因切割而导致碎裂。
8.如权利要求7所述的半导体组件，其中，所述保护墙由一光敏聚合物所组成。
9.如权利要求8所述的半导体组件，其中，所述光敏聚合物选自聚酰亚胺、聚苯恶唑、苯并环丁烯中的至少一种。
10.如权利要求7所述的半导体组件，另含有：
一钝化层，设置于所述晶粒上方；
一薄型金属垫，设置于所述晶粒之上；
一厚型金属层，设置于所述薄型金属垫之上，电性连接所述薄型金属垫；
以及
一缓冲层，设置于所述钝化层与所述厚型金属层之间，用于避免所述钝化层因所述厚型金属层所产生的应力而碎裂。
11.如权利要求10所述的半导体组件，其中，所述保护墙的弹性模数小于对应于所述厚型金属层的弹性模数。
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