[发明专利]鳍式场效应晶体管结构及其制造方法

权利要求书

1.一种鳍式场效应晶体管，包括：

衬底，具有多个鳍，其中，所述多个鳍的至少一个包括嵌入在所述多个鳍的至少一个中的停止层；

多个绝缘物，设置在所述衬底上以及设置在所述多个鳍之间；

至少一个栅极堆叠件，设置在所述多个鳍上方以及设置在所述多个绝缘物上；以及

应变材料部分，设置在沿所述多个鳍的延伸方向相邻的两个所述栅极堆叠件之间，所述停止层设置在所述应变材料部分的相对两侧上。

2.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管，其中，所述停止层的材料包括氧化硅锗(SiGeO_x)、硅锗(SiGe)、氧化硅(SiO_x)、磷化硅(SiP)、磷酸硅(SiPO_x)或它们的组合。

3.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管，其中，所述应变材料部分包括基底部分，所述基底部分设置在所述至少一个栅极堆叠件的相对两侧上并且设置在所述多个绝缘物的顶面下方，并且所述基底部分具有垂直的轮廓。

4.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管，其中，所述应变材料部分包括基底部分，所述基底部分设置在所述至少一个栅极堆叠件的相对两侧上并且设置在所述多个绝缘物的顶面下方，并且所述基底部分具有窄基底轮廓。

5.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管，其中，所述应变材料部分包括基底部分，所述基底部分设置在所述至少一个栅极堆叠件的相对两侧上并且设置在所述多个绝缘物的顶面下方，并且所述基底部分具有宽基底轮廓。

6.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管，其中，所述应变材料部分包括基底部分，所述基底部分设置在所述至少一个栅极堆叠件的相对两侧上并且设置在所述多个绝缘物的顶面下方，并且所述基底部分具有宽中部轮廓。

7.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管，其中，所述至少一个栅极堆叠件包括：

栅极介电层，覆盖所述多个鳍的部分并且设置在所述多个绝缘物上；

栅电极层，设置在所述栅极介电层上；以及

间隔件，设置在所述栅极介电层和所述栅电极层的侧壁上。

8.一种鳍式场效应晶体管，包括：

衬底，具有位于所述衬底上的鳍，其中，所述鳍包括嵌入在所述鳍中的停止层；

绝缘物，设置在所述衬底上和所述鳍之间；

至少一个栅极堆叠件，横跨所述鳍设置并且设置在所述鳍上方以及设置在所述绝缘物上；以及

应变材料部分，设置在相邻的两个所述栅极堆叠件之间，所述停止层设置在所述应变材料部分的相对两侧上，其中，所述应变材料部分包括源极和漏极区域，并且所述鳍中的所述停止层位于所述应变材料部分的底部之上或与所述应变材料部分的所述底部齐平。

9.根据权利要求8所述的鳍式场效应晶体管，其中，所述停止层的材料包括氧化硅锗(SiGeO_x)、硅锗(SiGe)、氧化硅(SiO_x)、磷化硅(SiP)、磷酸硅(SiPO_x)或它们的组合。

10.根据权利要求8所述的鳍式场效应晶体管，其中，所述应变材料部分的设置在所述绝缘物的顶面下方的基底部分具有垂直的轮廓。

11.根据权利要求8所述的鳍式场效应晶体管，其中，所述应变材料部分的设置在所述绝缘物的顶面下方的基底部分具有窄基底轮廓。

12.根据权利要求8所述的鳍式场效应晶体管，其中，所述应变材料部分的设置在所述绝缘物的顶面下方的基底部分具有宽基底轮廓。

13.根据权利要求8所述的鳍式场效应晶体管，其中，所述应变材料部分的设置在所述绝缘物的顶面下方的基底部分具有宽中部轮廓。