[发明专利]偏钛酸粒子及其制造方法有效
| 申请号： | 201610681883.6 | 申请日： | 2016-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN107149943B | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 吉川英昭;广瀬英一;奥野广良;岩永猛;鹿岛保伸;山田涉;竹内荣;杉立淳 | 申请（专利权）人： | 富士施乐株式会社 |
| 主分类号： | B01J31/02 | 分类号： | B01J31/02;B01J21/06 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 庞东成;解延雷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 偏钛酸 粒子 及其 制造 方法 | ||
1.一种偏钛酸粒子，其用具有烃基的硅烷化合物进行表面处理，
其中，所述偏钛酸粒子在紫外-可见光吸收光谱中波长为约400nm以上且约800nm以下处具有吸收，并且
所述偏钛酸粒子在红外吸收光谱中波数为约2700cm-1以上且约3000cm-1以下处具有吸收峰。
2.如权利要求1所述的偏钛酸粒子，
其中，所述硅烷化合物为由通式R1nSiR2m表示的化合物，
其中，R1表示具有1～20个碳原子的饱和或不饱和脂肪族烃基、或芳香族烃基，R2表示卤素原子或烷氧基，n表示1～3的整数，m表示1～3的整数，其中n+m＝4；当n表示整数2或3时，多个R1可以表示相同基团或不同基团；且当m表示整数2或3时，多个R2可以表示相同基团或不同基团。
3.如权利要求2所述的偏钛酸粒子，其中，通式R1nSiR2m中的R1表示饱和烃基。
4.如权利要求3所述的偏钛酸粒子，其中，通式R1nSiR2m中的R1表示直链饱和烃基。
5.如权利要求2所述的偏钛酸粒子，其中，通式R1nSiR2m中的R1表示具有6～27个碳原子的芳香族烃基。
6.如权利要求5所述的偏钛酸粒子，其中，所述芳香族烃基为选自由亚苯基、亚联苯基、亚三联苯基、萘基和蒽基组成的组中的至少一种。
7.如权利要求2所述的偏钛酸粒子，其中，所述卤素原子为选自由氯、溴和碘组成的组中的至少一种。
8.如权利要求2所述的偏钛酸粒子，其中，所述烷氧基具有1～10个碳原子。
9.如权利要求1所述的偏钛酸粒子，其中，所述偏钛酸粒子的体积平均粒径为约10nm以上且约1μm以下。
10.一种偏钛酸粒子的制造方法，其包括：
用具有烃基的硅烷化合物对未经处理的偏钛酸粒子进行表面处理，
其中，在所述未经处理的偏钛酸粒子进行表面处理时或之后，在约180℃以上且约500℃以下加热所述偏钛酸粒子。
11.如权利要求10所述的方法，
其中，所述硅烷化合物为由通式R1nSiR2m表示的化合物，
其中，R1表示具有1～20个碳原子的饱和或不饱和脂肪族烃基、或芳香族烃基，R2表示卤素原子或烷氧基，n表示1～3的整数，m表示1～3的整数，其中n+m＝4；当n表示整数2或3时，多个R1可以表示相同基团或不同基团；且当m表示整数2或3时，多个R2可以表示相同基团或不同基团。
12.如权利要求11所述的方法，其中，通式R1nSiR2m中的R1表示饱和烃基。
13.如权利要求12所述的方法，其中，通式R1nSiR2m中的R1表示直链饱和烃基。
14.如权利要求11所述的方法，其中，通式R1nSiR2m中的R1表示具有6～27个碳原子的芳香族烃基。
15.如权利要求14所述的方法，其中，所述芳香族烃基为选自由亚苯基、亚联苯基、亚三联苯基、萘基和蒽基组成的组中的至少一种。
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