[发明专利]封装件结构及其形成方法

说明书

本发明的实施例提供了封装件结构及其形成方法。封装件结构包括衬底和在衬底上方形成的半导体管芯。封装件结构还包括覆盖半导体管芯的封装件层和在封装件层中形成的导电结构。封装件结构包括在导电结构上形成的第一绝缘层，并且第一绝缘层包括一价金属氧化物。在第一绝缘层和封装件层之间形成第二绝缘层。第二绝缘层包括一价金属氧化物，并且第二绝缘层中的一价金属氧化物的重量比大于第一绝缘层中的一价金属氧化物的重量比。

相关申请的交叉引用

本申请涉及下列于2015年12月16日提交的美国序列号第14/970,962号的共同待审通常指定的专利申请，其整体内容引入本文作为参考。

技术领域

本发明涉及半导体领域，更具体地，涉及封装件结构及其形成方法。

背景技术

半导体器件用于许多电子应用，作为实例诸如个人电脑、移动电话、数码相机以及其他电子设备。通常，通过在半导体衬底上依次沉积材料的绝缘或介电层、导电层以及半导体层，并且使用光刻图案化各个材料层以在所述材料层上形成电路部件和元件来制造半导体器件。通常，在单个半导体晶圆上制造许多集成电路，并且通过沿着划线在集成电路之间锯切将单个管芯分割。通常，例如，在多芯片模块或在其他类型的封装件中将单个管芯单独封装。

已经开始研发诸如堆叠式封装(PoP)的新封装技术，其中将具有器件管芯的顶部封装件接合至具有另一个器件管芯的底部封装件。通过采用新的封装技术，将具有不同或类似功能的各种封装件集成在一起。

通常，尽管现有封装件结构以及制造封装件结构的方法足够用于它们的预期目的，但它们并非在所有方面完全符合要求。

发明内容

根据本发明的实施例，提供了一种封装件结构，包括：衬底；在衬底上方形成的半导体管芯；邻近半导体管芯的封装件层；在封装件层中形成的导电结构；在导电结构上形成的第一绝缘层，其中，第一绝缘层包括一价金属氧化物；以及在第一绝缘层和封装件层之间形成的第二绝缘层，其中，第二绝缘层包括一价金属氧化物，并且其中，第二绝缘层中的一价金属氧化物的重量比大于第一绝缘层中的一价金属氧化物的重量比。

根据本发明的实施例，提供了一种封装件结构，包括：衬底；在衬底上方形成的半导体管芯；邻近半导体管芯的封装件层；在封装件层中形成的导电结构；以及在导电结构上形成的绝缘层，其中，绝缘层包括邻近绝缘层的外表面的第一位置处的一价金属氧化物，并且在第一位置处的一价金属氧化物多于邻近与导电结构接触的内表面的第二位置处的一价金属氧化物。

根据本发明的实施例，提供了一种形成封装件结构的方法，包括：在衬底上方形成导电结构；在衬底上方形成半导体管芯，其中，半导体管芯被导电结构包围；在导电结构上实施湿工艺或等离子体工艺以在导电结构上方形成绝缘层，其中，绝缘层包括在第一绝缘层上方的第二绝缘层，其中，第一绝缘层和第二绝缘层都包括一价金属氧化物，并且第二绝缘层中的一价金属氧化物的重量比大于第一绝缘层中的一价金属氧化物的重量比；以及在半导体管芯和第二绝缘层上方形成封装件层。

附图说明

当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以更好地理解本发明。应该强调的是，根据工业中的标准实践，各种部件没有被按比例绘制并且仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的数量和尺寸可以被任意增加或减少。

图1A至图1N示出根据本发明的一些实施例的形成封装件结构的各个阶段的截面视图。

图1H’示出根据本发明的一些实施例的在导电结构上实施的湿工艺的截面视图。

图2A示出根据本发明的一些实施例的在等离子体工艺或湿工艺之前的导电结构的顶视图。

图2B示出根据本发明的一些实施例的在等离子体工艺或湿工艺之后的导电结构的顶视图。