[发明专利]成膜装置

说明书

本发明提供一种成膜装置，将基板载置于设于处理容器内的旋转台的上表面，一边使旋转台旋转一边利用加热部件加热基板，并进行预定的成膜处理，其中，该成膜装置包括：接触型的第1温度测定部件，其用于测定所述加热部件的温度；非接触型的第2温度测定部件，其用于测定被载置于所述旋转台的基板的温度；控制部件，其基于由所述第1温度测定部件测定的第1测定值和由所述第2温度测定部件测定的第2测定值中的至少任一者来对向所述加热部件供给的电力进行控制，所述控制部件在对所述基板进行预定的成膜处理的情况下和在相对于所述处理容器进行所述基板的输入或输出的情况下变更对向所述加热部件供给的电力进行控制的控制方法。

技术领域

本发明涉及成膜装置。

背景技术

以往，公知有沿着设于处理容器内的旋转台的旋转方向载置多个晶圆的成膜装置。

该成膜装置具有：气体供给部，其沿着旋转台的径向设置，用于供给处理气体；加热器，其设于旋转台的下部，用于加热晶圆。并且，在利用加热器加热晶圆、利用气体供给部喷出了处理气体的状态下，通过使旋转台旋转，可对晶圆进行成膜处理。另外，在该成膜装置中，基于由设置于加热器的附近的热电偶测定的温度，对向加热器供给的电力进行控制，从而可进行温度控制。

另外，以往，公知有如下技术：在沿着设于处理容器内的旋转台的旋转方向载置多个晶圆的成膜装置中，由非接触型的温度测定部件测定旋转台、晶圆的温度。

发明内容

发明要解决的问题

然而，在基于由设置于加热器的附近的热电偶测定的温度来对向加热器供给的电力进行控制的情况下，若对晶圆进行等离子体处理等成膜处理，则存在晶圆的温度与由热电偶测定的温度之间产生较大的温度差的情况。可以认为该温度差是由于晶圆暴露于等离子体而热电偶没有暴露于等离子体而产生的。

因此，在基于由热电偶测定的温度来对向加热器供给的电力进行控制而进行温度控制的情况下，有可能无法精度良好地进行温度控制。

因此，提供一种能够精度良好地进行温度控制的成膜装置。

用于解决问题的方案

在一技术方案中，一种成膜装置，将基板载置于设于处理容器内的旋转台的上表面，一边使旋转台旋转一边利用加热部件加热基板，并进行预定的成膜处理，该成膜装置包括：接触型的第1温度测定部件，其用于测定所述加热部件的温度；非接触型的第2温度测定部件，其用于测定被载置于所述旋转台的基板的温度；控制部件，其基于由所述第1温度测定部件测定的第1测定值和由所述第2温度测定部件测定的第2测定值中的至少任一者来对向所述加热部件供给的电力进行控制，所述控制部件在对所述基板进行预定的成膜处理的情况下和在相对于所述处理容器进行所述基板的输入或输出的情况下变更对向所述加热部件供给的电力进行控制的控制方法。

附图说明

附图是作为本说明书的一部分编入的，表示本申请的实施方式，因此与上述的一般的说明和后述的实施方式的详细内容一起说明本申请的概念。

图1是表示由非接触型的温度测定部件测定了晶圆的温度时的结果的图表。

图2是本实施方式的成膜装置的概略纵剖视图。

图3是本实施方式的成膜装置的概略俯视图。

图4是用于说明本实施方式的成膜装置中的辐射温度测定部件的局部剖视图。

图5是说明辐射温度测定部件的动作的图。

图6是说明旋转台与温度测定区域之间的关系的图。

具体实施方式