[发明专利]高松装密度五氧化二铌的制备方法有效
申请号: | 201610692339.1 | 申请日: | 2016-08-19 |
公开(公告)号: | CN106348343B | 公开(公告)日: | 2017-12-08 |
发明(设计)人: | 蔡毅;郑祥云 | 申请(专利权)人: | 江门富祥电子材料有限公司 |
主分类号: | C01G33/00 | 分类号: | C01G33/00 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)11350 | 代理人: | 赵蕊红 |
地址: | 529152 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高松装 密度 氧化 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属于湿法冶金技术领域,具体涉及一种高松装密度五氧化二铌的制备方法。
背景技术
铌是一种高熔点稀有金属,既是特殊的功能材料,又是优良的结构材料。铌及其合金广泛应用于电子、冶金、机械、航天航空、化学、医学等领域;随着铌化合物单晶表面波滤波器在彩色电视机、录像机、移动通讯等电子领域应用的迅速增长,含铌特种光学玻璃在照相机、摄像机和其他光学仪器应用量不断扩大;随着红外、激光等高新技术和军事应用,家用电器生产和电子工业迅猛发展,氧化铌的需求量日渐增加。
高松装密度五氧化二铌在铌条、碳化铌、及其合金的生产中由于松装密度大在同等模具的情况下,装氧化铌的量就多,大大提高了生产效率,降低了成本。根据目前工艺方法制备的五氧化二铌松装密度较低,约为1g/cm3。
发明内容
鉴于现有技术中的上述问题,本发明的目的是提供一种高松装密度五氧化二铌的制备方法。
为实现上述目的,本发明采用以下技术方案:
1、高松装密度五氧化二铌的制备方法,包括以下步骤:
1)提供钽铌矿,进行研磨;
2)加入氢氟酸和硫酸进行溶解,生成氟钽酸和氟铌酸;
3)经仲辛醇萃取及反萃取,分离出氟铌酸;
4)第一次通入氨气中和,中和至pH=5-6,控制没有白色沉淀产生;
5)冷却至20-40℃;
6)第二次通入氨气中和,中和至pH=9,中和时间为30-150分钟;
7)循环过滤洗涤至氟离子<1000ppm
8)用压滤机进行固液分离,
9)然后在温度200℃下进行烘干。
10)在温度7 00-900℃煅烧,得到高松装密度五氧化二铌。
优选地,步骤4)中通入氨气的流量为1-15升/分钟。
优选地,步骤6)中通入氨气的流量为1-15升/分钟。
优选地,步骤7)使用陶瓷膜进行循环过滤洗涤。使用陶瓷膜过滤进行为洗涤有利于生产高密度氧化铌,如图1所示,陶瓷膜过滤洗涤原理为:在压力作用的驱动下,原料液在膜管内高速流动,含小分子组分的澄清渗透液沿与之垂直方向向外透过膜,含大分子组分的混浊浓缩液被膜截留,从而使流体达到分离、浓缩、洗涤、纯化的目的。因氢氧化铌为粉体物质,是大分子组分,被膜截留,氟化物等为小分子组分,向外透过膜,达到过滤洗涤的目的。
述的高松装密度五氧化二铌的制备方法,其特征在于步骤10)中在750℃下进行煅烧。
优选地,所述步骤5)冷却至30℃。
从五氧化二铌松装密度看,第二次中和时间越长,松装密度就越大。达到一定时间后就没有多少变化了,所述步骤6)中和时间优选为为120分钟。
从五氧化二铌松装密度看煅烧温度越高,松装密度就越大。但800℃、850℃煅烧得到五氧化二铌松装密度相差不大,由于煅烧设备是用镍铬材料为加热元件的回转炉,温度过高,回转炉的使用寿命就短,生产中一般控制在800℃以下使用,优选地,步骤10)中在750℃下进行煅烧。
根据本发明,具有下列的有益效果:通过本发明的方法使制备的五氧化二铌松装密度提高到1.8g/cm3。
附图说明
图1是陶瓷膜的结构示意图;
图2是本发明的中和反应装置的示意图;
图3是本发明的循环洗涤装置的示意图。
具体实施方式
铌钽矿分解的主要化学反应方程式如下:
Fe(TaO3)2+16HF=2H2TaF7+FeF2+6H2O
Fe(NbO3)2+16HF=2H2NbF7+FeF2+6H2O
Fe2O3+12HF=2H3FeF6+3H2O
SiO2+6HF=H2SiF6+2H2O
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