[发明专利]压力传感器的封装方法

权利要求书

1.一种压力传感器的封装方法，其特征在于，包括：

提供半导体晶圆，所述半导体晶圆包括多个芯片，所述多个芯片均包括感应区以及封装区，所述多个芯片内均设置有控制电路以及位于所述控制电路上的层间介质层，所述层间介质层中形成有第一互连结构，所述封装区的层间介质层暴露出所述第一互连结构的顶部，所述第一互连结构与所述控制电路电连接，所述多个芯片上均形成有一钝化层，所述钝化层和所述感应区的层间介质层之间形成第一空腔，所述第一空腔的顶壁形成有顶部电极，所述第一空腔的底壁形成有底部电极；

选择性刻蚀所述钝化层，在所述钝化层中形成第一开口以及第二开口，所述第二开口位于所述第一开口中，所述第一开口至少位于部分所述第一空腔上，所述第二开口暴露出所述第一空腔上的部分所述顶部电极；

在所述封装区上的钝化层中形成一钝化层通孔，所述钝化层通孔暴露出所述第一互连结构的顶部；

在所述钝化层上键合一基板，所述基板覆盖所述第一开口，形成第二空腔；

在所述封装区上的基板中形成一基板通孔，所述基板通孔和所述钝化层通孔导通；

在所述基板通孔和钝化层通孔中填充导电材料形成通孔结构；

在所述基板上形成垫片，所述垫片导通所述通孔结构。

2.如权利要求1所述的压力传感器的封装方法，其特征在于，在所述感应区上的基板上形成通气孔，所述通气孔导通所述第二空腔。

3.如权利要求1所述的压力传感器的封装方法，其特征在于，在所述封装区上的基板中形成一基板通孔的步骤之前，还包括：

对所述基板背离所述钝化层的一面进行减薄。

4.如权利要求1至3中任意一项所述的压力传感器的封装方法，其特征在于，在所述基板上形成垫片的步骤之后，还包括：

在所述基板上形成保护层，所述保护层暴露出所述垫片，并且，所述保护层至少暴露出部分所述感应区上的基板。

5.如权利要求1所述的压力传感器的封装方法，其特征在于，所述压力传感器的封装方法还包括：

将所述垫片通过一焊接部与一电路板键合在一起；

切割所述半导体晶圆、钝化层、基板以及电路板，形成单粒的压力传感器晶圆级封装结构。

6.如权利要求1所述的压力传感器的封装方法，其特征在于，所述基板为晶圆。

7.如权利要求1所述的压力传感器的封装方法，其特征在于，通过熔融键合方式在所述钝化层上键合一基板。

8.如权利要求7所述的压力传感器的封装方法，其特征在于，所述熔融键合的温度为200℃～450℃。

9.如权利要求1所述的压力传感器的封装方法，其特征在于，所述层间介质层还包括第二互连结构和第三互连结构，所述第二互连结构和第三互连结构分别与所述控制电路电连接，所述第二互连结构与底部电极电连接，所述第三互连结构与所述顶部电极电连接。

10.如权利要求1所述的压力传感器的封装方法，其特征在于，所述导电材料为铜、钨、钼中的一种或几种的合金。