[发明专利]压力传感器的制备方法有效
| 申请号： | 201610696305.X | 申请日： | 2016-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN107764439B | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 刘孟彬;毛剑宏 | 申请（专利权）人： | 上海丽恒光微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/14 | 分类号： | G01L1/14;B81C3/00 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 李时云 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张江*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 压力传感器 制备 方法 | ||
1.一种压力传感器的制备方法，其特征在于，包括：
提供半导体基底，所述半导体基底的上表面形成有底部电极；
在所述半导体基底上形成一介电层，在所述介电层中形成第一开口，所述第一开口暴露出所述底部电极；
采用熔融工艺在所述介电层上键合一晶圆，所述熔融工艺的温度为250℃～350℃，所述晶圆覆盖所述第一开口，并形成一空腔；
减薄所述晶圆至一预定厚度；
在减薄后的所述晶圆上形成一钝化层；以及
选择性刻蚀所述钝化层，以暴露出所述空腔上的部分所述晶圆。
2.如权利要求1所述的压力传感器的制备方法，其特征在于，所述晶圆为低阻晶圆，或向所述晶圆进行离子注入以调节所述晶圆的电阻。
3.如权利要求1所述的压力传感器的制备方法，其特征在于，所述晶圆包括自下至上依次层叠的第一层、第二层和第三层，所述第二层的材料与所述第一层和第三层的材料均不同。
4.如权利要求3所述的压力传感器的制备方法，其特征在于，所述减薄所述晶圆至一预定厚度的步骤包括：
对所述第三层进行研磨；
刻蚀去除剩余的所述第三层；
刻蚀所述第二层，使剩余的所述晶圆的厚度至所述预定厚度。
5.如权利要求3所述的压力传感器的制备方法，其特征在于，所述第一层和第三层均为半导体材料层，所述第二层为氧化物层。
6.如权利要求1至5中任意一项所述的压力传感器的制备方法，其特征在于，所述半导体基底还包括控制电路、第一互连结构和第二互连结构，所述第一互连结构和第二互连结构分别与所述控制电路电连接，所述第一互连结构与底部电极电连接，所述半导体基底的上表面暴露出所述第二互连结构的顶部。
7.如权利要求6所述的压力传感器的制备方法，其特征在于，在所述减薄所述晶圆至一预定厚度的步骤和在减薄后的所述晶圆上形成一钝化层的步骤之间，还包括：
在所述晶圆和介电层中形成通孔结构，所述通孔结构导通所述第二互连结构的顶部；
在所述晶圆上形成金属层，所述金属层导通所述通孔结构，所述金属层至少暴露出部分所述空腔上的所述晶圆。
8.如权利要求1至5中任意一项所述的压力传感器的制备方法，其特征在于，所述预定厚度为
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